北京
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国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器装置的软写入方法以及擦除方法”的专利，公开号CN121209773A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器装置的软写入方法与擦除方法。存储器装置具有n个字线(n为正整数)。软写入方法包括：对n个字线中的第j个字线施加m个(m为正整数)写入脉冲，其中j为小于n的正整数；以及基于对第j个字线施加m个入脉冲的验证结果，来决定第j+1个字线至第n个字线所施加的写入脉冲的起始值。在第j个字线所施加m个写入脉冲中的第i个写入脉冲通过验证时，以第i个写入脉冲作为第j+1个字线至第n个字线所施加的写入脉冲的电压起始值，其中i=1~m。此方法也适于3DNAND闪存。此外，存储器装置具有高容量与高性能的特性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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