北京
国家知识产权局信息显示，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“BCD器件”的专利，授权公告号CN223730191U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种BCD器件，包括衬底、第一阱区、第一栅氧化层、至少一个欧姆接触区、第一栅电极层及第一介质层。所述第一阱区从所述衬底的顶面向下延伸，所述第一栅氧化层位于所述第一阱区中的欧姆接触区以外的部分顶面上，所述第一介质层位于所述第一栅氧化层的至少部分顶面，所述第二栅电极层位于所述第二介质层的至少部分顶面。本实用新型利用所述第一介质层将所述第一栅电极层的至少部分抬高，从而降低所述第一阱区的表面电场，进而降低HCI(热载流子注入)效应，提高了所述BCD器件的可靠性，且第一介质层的制备与BCD工艺兼容，制备成本也较低。
天眼查资料显示，杭州士兰微电子股份有限公司，成立于1997年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本166407.1845万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州士兰微电子股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息1199条，此外企业还拥有行政许可252个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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