北京
国家知识产权局信息显示，山东中晶芯源半导体科技有限公司申请一项名为“一种SiC单晶衬底中包裹体缺陷的检测方法”的专利，公开号CN121208008A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种SiC单晶衬底中包裹体缺陷的检测方法，方法包括获取4H‑SiC晶圆，并对4H‑SiC晶圆进行预处理，得到4H‑SiC目标晶片；利用光学表面缺陷检测仪获取4H‑SiC目标晶片表面的信号成像；光学表面缺陷检测仪包括以波长为400‑450nm，角度为40‑50°入射4H‑SiC目标晶片表面的激光光源；根据预设包裹缺陷条件对信号成像进行缺陷分析，并在信号成像符合预设包裹缺陷条件时，得到包裹体缺陷集合；根据预设包裹缺陷种类条件对包裹体缺陷集合进行筛选，得到至少一个表层包裹体和/或至少一个内部包裹体的缺陷信息。本申请通过上述检测方法解决了现有包裹体缺陷检测技术效率低下的问题。
天眼查资料显示，山东中晶芯源半导体科技有限公司，成立于2023年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东中晶芯源半导体科技有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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