北京
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国家知识产权局信息显示，罗斯蒙特公司申请一项名为“具有改进的过压响应的增程硅压力传感器”的专利，公开号CN121207405A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，压力传感器包括具有可偏转隔膜的第一硅管芯和在界面处接触第一硅管芯的第二硅管芯。电气结构相对于所述第一硅管芯和所述第二硅管芯中的一个安装。电气结构具有基于可偏转隔膜的偏转而改变的电气特性。相对于第一硅管芯和第二硅管芯中的一个安装过压特征件。过压特征件具有被配置为在过压条件下接触第一硅管芯和第二硅管芯中的另一个的表面。至少一个熔料区域具有熔料间隙。玻璃熔料设置在熔料间隙中。还公开了一种具有上述压力传感器的压力变送器。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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