北京
国家知识产权局信息显示，北京宽温微电子科技有限公司申请一项名为“SRAM读取良率评估与性能优化的方法、系统及芯片”的专利，公开号CN121212046A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及SRAM技术领域，提供一种SRAM读取良率评估与性能优化的方法、系统及芯片，包括：基于多种电路特征参数的统计特征值确定失效概率模型，得到失效判别结果，其中，失效判别条件设置为读1时有效感应斜率与感应时间窗口的乘积小于失调电压，读0时上述乘积大于失调电压，有效感应斜率是由读取电流、漏电流和感应斜率标称值确定的；基于失效判别结果计算目标电路特征参数的当前统计特征值对应的当前读取良率；基于目标电路特征参数的量化统计特征值及对应的量化读取良率，确定目标电路特征参数与SRAM读取良率之间的量化关系，进而确定目标电路特征参数的优化值。以解决相关技术无法在设计SRAM时兼顾高良率和高性能的问题。
天眼查资料显示，北京宽温微电子科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京宽温微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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