英特尔亚利桑那Fab 52产能超越台积电在当地规模 月产逾4万片18A晶圆

英特尔旗下的Intel Foundry在美国本土的产能布局正在加速成形，其位于亚利桑那州的Fab 52厂房在产能与厂区规模上，均已经超越台积电同样位于亚利桑那的晶圆制造园区。日前，CNBC记者实地探访了这座新厂，披露了有关其月产能以及未来扩产规划的最新细节。

报道指出，Fab 52当前每周可生产约1万片晶圆，折算下来月产量超过4万片，全部采用英特尔最先进的18A制程节点进行生产。18A是英特尔目前的旗舰制程，引入了背面供电网络（backside power delivery）与全环绕栅极（GAA）晶体管等前沿技术，为下一代高性能与高能效芯片奠定基础。

与之相比，台积电亚利桑那Fab 21目前在第一阶段（Phase 1）的月产能约为2万片晶圆，主要采用较早一代的N5与N4工艺，属于5纳米级别。台积电虽然规划在后续阶段提升当地晶圆产能并导入更先进制程，但相较其台湾本部，亚利桑那厂区的工艺代际在相当一段时间内仍将滞后数个世代。

从客户结构来看，英特尔目前对外代工客户数量有限，Fab 52上大部分18A产能预计将优先供应自家产品，包括即将登场的下一代“Panther Lake”处理器以及后续一代的核心产品线。这意味着Fab 52在初期将更多承担英特尔内部产品量产任务，同时逐步向外部客户开放产能，以支撑其“IDM 2.0”与代工业务转型战略。

不过，在产出晶圆数量占优的同时，英特尔当前在18A节点的良率仍落后于台积电等成熟代工厂商，使得单位晶圆可用芯片数量相对较少。“Panther Lake”等新设计仍处在良率爬坡曲线的早期阶段，英特尔方面预计18A制程的良率以每月约7%的速度持续提升，为后续大规模量产铺路。

在关键设备方面，Fab 52已经安装了至少一台来自ASML的最新一代Low-NA EUV曝光机NXE:3800E，这套系统融合了更高速的晶圆传送机构、更快的曝光平台以及源自下一代High-NA设备的光源技术，单机产能可达到每小时220片晶圆。配合厂内已部署的三台NXE:3600D系统——每台每小时可处理约160片晶圆——英特尔在亚利桑那的EUV产线正快速扩容，预计整个园区最终将布局至少15台EUV曝光机。

整体来看，借助Fab 52在产能与装备层面的领先布局，英特尔在美国本土高端制程与晶圆代工领域试图缩小与台积电之间的差距，并强化美国在先进半导体制造链中的战略地位。在台积电将先进节点重心继续放在台湾的背景下，Fab 52及其后续扩建项目有望成为美国境内最具代表性的高端制程生产基地之一。