亚利桑那晶圆厂对比：英特尔 Fan52 远超台积电 Fab21

英特尔正致力于在制程工艺与先进全球产能两方面追赶台积电，但在美国本土市场，这家芯片巨头的地位依旧无可撼动。据美国消费者新闻与商业频道（CNBC）报道，英特尔 52 号晶圆厂的技术先进性超过了台积电目前运营的 21 号晶圆厂一期项目，以及即将投产的二期项目，其产能规模更是相当于这两个厂区的总和。

英特尔位于亚利桑那州钱德勒的Fab 52半导体制造厂

英特尔 52 号晶圆厂专为 18A 制程（1.8 纳米级）及更先进工艺而生，采用了环绕栅极（GAA）纳米带晶体管技术与 PowerVia 背侧供电网络。该工厂的晶圆月启动量（WSPM）在满负荷量产阶段可达约 40,000 片，对应每周 10,000 片的启动规模 —— 以当下行业标准衡量，这无疑是一座超大规模晶圆厂。

据推特账号 @IntelProMUltra 实地观察，52 号晶圆厂目前配备了 4 台阿斯麦（ASML）Twinscan NXE 系列低数值孔径（Low-NA）极紫外（EUV）光刻机，其中至少包含 1 台NXE:3800E 机型。这款设备是阿斯麦最先进的低数值孔径极紫外光刻机，借鉴了下一代高数值孔径极紫外光刻机的晶圆传送装置、高速晶圆台与光源技术，在 30 毫焦 / 平方厘米的曝光剂量下，每小时可处理高达 220 片晶圆。此外，该厂还部署了 3 台 NXE:3600D 光刻机，同曝光剂量下的小时晶圆处理量为 160 片。

英特尔位于亚利桑那州奥科蒂约的 “硅沙漠” 园区，最终将配备至少 15 台极紫外光刻机。不过，其中高数值孔径极紫外光刻机的具体数量，以及即将开建的 62 号晶圆厂将部署多少台这类设备，目前仍未可知。但 “至少” 这一表述意味着，英特尔在亚利桑那的生产基地预留了充足空间，未来可部署超过 15 台极紫外光刻机。

对比台积电 21 号晶圆厂一期项目（采用 N4 与 N5 制程生产芯片），英特尔 52 号晶圆厂不仅能生产制程工艺显著更先进的芯片（最低达 1.8 纳米级及以下），月晶圆处理量更是前者的两倍。事实上，台积电单座晶圆厂模块的产能通常在 20,000 片 / 月左右，即便其具备 N3 制程生产能力的 21 号晶圆厂二期项目建成投产，待三家工厂均满负荷运行时，英特尔 52 号晶圆厂的综合实力仍能与台积电在亚利桑那的两座工厂持平，甚至略有领先。

需要指出的是，由于英特尔 18A 制程的技术复杂度远超台积电 N4 或 N4P 制程，单纯对比产能规模并不完全准确。即便采用更先进的 Twinscan NXE:3800B 光刻机，英特尔工厂在生产 18A 制程芯片时，也需要完成更多工序。

不过，英特尔 52 号晶圆厂的产能爬坡进度存在一个关键变数。目前，该厂正基于 18A 制程推进 “黑豹湖”（Panther Lake）处理器的量产，但该制程的良率仍处于爬坡初期。英特尔预计，18A 制程的良率将在 2027 年初达到业界顶尖水平。在此之前，该厂不会扩大该制程下的处理器产能，因此工厂现阶段无法实现满负荷运转，部分产能将处于闲置状态。反观台积电，其在美国工厂采用的是成熟制程技术进行芯片生产，能够快速完成产能爬坡，晶圆厂利用率也能迅速提升至接近 100% 的水平。

注：由于平均每月的周数超过 4 周，因此英特尔 52 号晶圆厂满负荷运行时的最大产能可能高于 40,000 片 / 月，具体数值受计划维护与非计划停机等因素影响。

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