长鑫科技荣获IC风云榜“年度知识产权创新卓越奖”

2025年12月20日，由半导体投资联盟和集成电路投资创新联盟主办、ICT知识产权发展联盟协办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”在上海隆重举行。长鑫科技集团股份有限公司（以下简称：长鑫科技）荣获2026IC风云榜“年度知识产权创新卓越奖”。

成立于2016年的长鑫科技，总部位于安徽合肥，是一家一体化存储器制造企业，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产与销售。长鑫科技在国内外设有多个研发中心和分支机构，形成了覆盖研发、制造、销售和服务的完整产业链布局。

依托持续高强度的研发投入与成熟的工程化能力，长鑫科技已形成覆盖移动终端、电脑、服务器、虚拟现实及物联网等核心应用场景的DRAM产品体系。公司坚持核心技术自主化发展路径，累计布局多项自主知识产权，为我国存储产业链补短板、强能力提供了重要支撑。

“年度知识产权创新卓越奖”旨在表彰2025年度ICT领域知识产权成果突出、综合实力强劲，具有行业影响力及贡献度，在知识产权创造、运用、保护、管理至少某一方面表现亮眼的优秀创新主体。此次获奖，充分体现了长鑫科技在构建高质量专利体系、推动技术成果产业化以及提升行业整体创新水平方面的突出贡献，也彰显了其在中国存储器产业自主可控进程中的标杆地位。

从产业格局看，据市场机构分析，长鑫存储目前已成长为中国第一、全球第四的DRAM制造厂商。公司产品矩阵持续完善，覆盖DDR与LPDDR两大主流技术路线，实现从DDR4、DDR5到LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X的全系列布局，客户群体已涵盖国内主流厂商，多元化产品能力精准匹配市场需求。

在AI算力基础设施建设加速推进、全球存储产业进入新一轮“超级周期”的背景下，长鑫存储不断刷新技术指标边界。2025年下半年，公司相继推出新一代LPDDR5X与DDR5产品系列：其中，LPDDR5X最高速率达10667Mbps，较上一代LPDDR5提升66%，功耗降低30%；DDR5产品最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并通过七大模组形态覆盖从云端到边缘端的多样化应用场景。相关产品在速率与容量等关键指标上跻身业界第一梯队，标志着国产DRAM在高端性能与系统化布局方面已具备与国际一线厂商同台竞争的技术实力。

凭借持续的技术创新与产业贡献，长鑫存储的品牌影响力不断提升：先后获评“国家知识产权优势企业”，连续三年进入WIPO PCT国际公开Top 50，入选“福布斯中国创新力企业50强”，跻身美国专利授权排行榜50强，并荣登LexisNexis全球创新百强榜；在专业领域，其研究成果获得IEDM 2025等国际顶级学术会议认可，论文入选数量位居国内企业之首，展现出从产业实践到前沿研究、再到知识产权体系建设的综合领先实力。

IC风云榜聚焦新时代环境下中国集成电路产业最具经营智慧的风云企业，根据市场、学研、资方、品牌等多维度可靠数据，秉持客观真实、公正公开、范围广泛的原则，通过公开征集、自愿申报、专家评选等程序，严格遴选出行业年度优秀人物、机构、企业与品牌，以此树立行业标杆，展现行业格局，激发企业创新潜能，厚植产业创新沃土。IC风云榜以开放的国际视野和科学的评选维度，为半导体企业创新赋能，深受企业与市场的认可与青睐，已成为中国IC产业的风向标奖项。展望未来，IC风云榜还将继续发挥风向标作用，为中国半导体产业的高质量发展提供强有力的支持和推动。