2025年12月12日下午4点,港交所大屏定格的瞬间,写下中国半导体行业的重要一笔。英诺赛科收盘价80.8港元,总市值飙升至739.4亿港元。谁能想到,这家三个月前还只在圈内知名的公司,仅凭一个关键突破就实现逆袭——成为英伟达800V电源架构合作伙伴中,唯一的中国企业。
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这一切的操盘者,是曾被朋友劝“别跳火坑”的浙江女博士骆薇薇。2015年,45岁的她从NASA首席科学家的位置上辞职回国,放弃深耕十五年的航天领域,一头扎进当时几乎空白的氮化镓芯片赛道。“专业不对口”“中国做氮化镓就是骗子或傻子”,质疑声铺天盖地。
但骆薇薇的判断无比清醒:中国每年芯片进口额超3000亿美元,是原油进口的两倍,而第三代半导体氮化镓的全球竞争才刚起步。“这是中国半导体最后一次与全球同步起跑的机会,错过了就再也没有了。”带着这份执念,她在珠海用政府扶持的启动资金,和仅有的一名工程师,在旧仓库改造的实验室里开启了攻关。
创业初期的第一个生死抉择,就彰显了她的魄力。当时行业主流是成熟的4英寸、6英寸氮化镓工艺,她却力排众议直接冲击8英寸工艺——这项技术连英飞凌、德州仪器等巨头都还停留在实验室阶段。更棘手的是,核心设备MOCVD被欧美禁运,她就带着团队满世界淘二手设备,拆解开研究、改造,白天当CEO,晚上化身机械工程师。
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氮化镓在硅基底上生长的难题,曾让无数研究者却步。两种材料热膨胀系数差三倍,温度控制稍有偏差就会导致晶圆开裂。骆薇薇把NASA研究火箭燃料的精准方法论搬了过来,带领团队设计37套方案,做上千次实验,终于在2017年做出完整无裂的8英寸外延片,缺陷密度低于行业标准。
为解决产能瓶颈,她再次果断决策北上苏州。依托当地完整的集成电路产业链,英诺赛科实现从实验室到量产线的跨越。业界预估需要十年的路程,他们用了不到六年。2021年,全球首条8英寸硅基氮化镓量产线投产,如今每月产能1.3万片,占全球35%,为后续突破打下基础。
2025年8月1日,硅谷传来重磅消息:英伟达公布的7家800V电源架构合作伙伴中,英诺赛科赫然在列,与德州仪器、英飞凌等巨头并肩。这背后是实打实的硬实力——18个月全球12家供应商测试中,英诺赛科在效率、稳定性、良率上综合评分第一,且产能最稳定
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这一突破的意义远超商业合作本身。AI算力爆炸时代,传统电力系统已成瓶颈,英伟达800V架构需高性能氮化镓芯片支撑,而英诺赛科的入选,意味着中国芯片技术达到世界顶级水平。更关键的是,双方并非简单的供需关系,而是联合设计三个关键电源模块,打破了中国企业“按图纸代工”的旧模式。
资本市场迅速用脚投票,消息公布当天,英诺赛科股价暴涨63.64%,市值一天增加200多亿。红杉中国与高瓴创投更是罕见联手,重仓骆薇薇2022年创立的星钥半导体,押注氮化镓在Micro LED领域的应用。这背后是清晰的生态布局:左手英诺赛科主攻电力赛道,右手星钥半导体抢占显示赛道,构建氮化镓技术平台。
如今的英诺赛科,已在全球手握319项授权专利,AI和数据中心业务营收暴涨180%,毛利率首次由负转正。但骆薇薇清楚,挑战仍在:苏州工厂尚在折旧期,研发投入占比40%远超行业平均,国际专利诉讼每年消耗数千万。但她的目标明确,从8英寸向12英寸工艺进军,从分立器件向集成模块发展,打造世界的英诺赛科。
从NASA科学家到739亿市值掌舵人,骆薇薇的十年,正是中国芯片从“卡脖子”到“挺起腰”的缩影。她的逆袭证明,中国硬科技突围没有捷径,唯有瞄准前沿、咬牙坚持。在这条充满挑战的赛道上,英诺赛科的冲刺才刚刚开始,而更多像它一样的企业,正在书写中国创新的未来。
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