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12月17日消息，三星宣布，该公司及其三星先进技术研究所成功开发出一种新型晶体管，能够在10nm以下的制程节点上生产 DRAM，这个突破将解决行动 RAM 扩展中的关键挑战。
这项技术的重点在于实现小于10nm的 DRAM 制程，这对于行动 RAM 来说是一个重要的障碍，因为传统的扩展方法已经达到物理极限。
三星的这项创新专注于0a和0b类DRAM，这些新型内存有望显著提升未来装置的容量和性能。根据报导，这项技术仍处于研究阶段，未来将应用于小于10奈米的DRAM产品。
在此次宣布中，三星介绍了其名为「高耐热非晶氧化物半导体晶体管」的技术，该晶体管能承受高达摄氏550度的高温，进而防止性能下降。这种垂直信道晶体管的信道长度为100奈米，并可与单片CoP DRAM架构集成。
在测试中，该晶体管的排水电流几乎没有衰退，并且在老化测试中表现良好。这个技术的推出，将使三星在高密度内存市场中更具竞争力，并可能在2026年及以后的装置中首次亮相。
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