内存短缺潮、光电子加速渗透、边缘AI回归......德银总结2026年六大科技硬件交易主题

德银在12月10日发布的2026年欧洲科技硬件行业报告中认为，2026年科技硬件将由六大主题主导：内存短缺、AI挤压主流组件、光电子加速渗透、先进封测升级、800V电源架构改革及边缘AI回归增长。

市场正经历剧烈的价格波动，内存短缺已从单纯的组件风险升级为宏观层面的关切。据追风交易台消息，德银分析师Robert Sanders团队在研报中表示，过去三个月，DRAM现货价格暴涨300-400%，NAND闪存同步大涨200%，且涨势正向合约价快速传导。

与此同时，AI 支出持续挤占主流电子组件供应，光电子、先进封测、800V 电源架构等技术赛道加速爆发，边缘 AI 已在多个领域形成落地态势。多重变量正重构行业竞争格局。

这些趋势将直接影响消费电子、智能手机、数据中心等关键终端市场，推动产品迭代延迟、配置调整与价格波动，同时为半导体设备、功率器件、光模块等细分领域带来结构性投资机会，部分龙头企业估值有望突破历史区间。

内存短缺持续发酵，WFE 支出成核心推手

数据显示，过去三个月DRAM现货价格飙升300-400%，其中DDR4现货价达到每GB17美元，DDR5为13-14美元；NAND闪存关键标杆产品TLC512Gb现货价也上涨200%，供应商议价能力显著增强。

合约价同样呈现快速上涨态势，Trendforce数据显示，2025年第四季度PCDRAM合约价环比上涨25-30%，服务器DRAM环比涨幅高达43-48%，11月晶圆级NAND合约价环比涨幅介于20-60%之间。市场普遍预期，随着渠道库存耗尽，2026年上半年DRAM和NAND合约价将再涨30-50%。

这一短缺态势将持续至2027年，推动晶圆制造设备（WFE）支出超预期增长，尤其利好DRAM相关设备企业。德银预测，ASML等半导体设备龙头的估值可能突破常规25-30倍的2027年预期市盈率区间，ASML目标价已上调15%至1150欧元，对应35倍2027年预期市盈率。

AI支出引发组件挤压，主流电子领域承压

AI支出的爆发式增长加剧了关键组件的供应紧张，对低中端智能手机、PC等主流电子领域构成持续阻力。内存、无源器件、光组件及硬盘驱动器（HDD）的供应受限，使得议价能力较弱的OEM厂商陷入被动。

研报援引据路透社报道，Realme相关负责人表示，内存成本的陡峭上涨可能迫使公司在2026年6月前将手机价格提高20-30%。Dell首席运营官Jeff Clarke也在财报电话会议中称，当前成本上涨速度史无前例。

相对而言，汽车行业因拥有独立产线受冲击较小，但Nokia和Ericsson等网络设备厂商可能面临无源器件等组件的供应压力。Raspberry Pi、Soitec等对智能手机行业暴露度较高的企业，将直面经营压力。

光电子/光子学加速渗透，数据中心成核心场景

德银表示，AI数据中心的带宽需求爆炸式增长，推动光电子/光子学技术成为行业增长的核心引擎。当前多数AI数据中心采用以太网或InfiniBand搭配可插拔光模块，未来将逐步向高速可插拔光模块、线性可插拔光学（LPO）及共封装光学（CPO）演进，以实现更低功耗和延迟。

LPO通过线性驱动器替代完整DSP，显著降低功耗与延迟；CPO则将光引擎紧邻交换机/xPU部署，大幅提升能效，这两种技术均推动硅光子学（SiPho）的渗透率快速提升。Tower Semi计划在2025年底将硅光子产能翻倍，并在2026年中再扩大三倍，目标2026年硅光子销售额达到9亿美元，较2024年的1.05亿美元实现跨越式增长。

研报提出，相关企业已积极布局抢占市场份额，Nokia通过Elenion交易获得自有SiPho平台，并正在圣何塞扩建光子芯片工厂，产能将提升25倍，其AI数据中心相关订单年初至今已增长3倍；Soitec的SOI晶圆在低插入损耗单模波导领域占据主导地位，是GFF otonix和TowerPH18平台的首选方案。

测试与先进封测热度攀升，技术升级打开成长空间

德银表示，AI加速器复杂度提升与产品价值增长，推动测试与先进封测成为半导体产业链的关键增长点。随着AI加速器封装集成的芯粒数量增加，产品报废成本呈指数级上升，促使企业大幅增加测试预算，英伟达等客户正积极扩大测试覆盖范围，推动高成本测试方案的普及。

研报认为，台积电计划在2022-2026年间将AI测试产能以80%的复合年增长率扩张，OSATs也在2026年积极扩产以缓解产能约束。先进封测领域，2.5DCoWoS产能持续紧张，台积电和OSATs均在加码相关投入，同时行业正向3D封装积极迁移，苹果计划2026年在高端笔记本电脑（M5Pro、M5Max）中首次采用台积电的3D封装方案SolC-mH。

HBM领域的技术升级进一步打开封测市场空间，2026-2027年HBM4E和HBM5有望从TCB工艺转向无焊剂TCB或D2W混合键合工艺，以支持16层及以上堆叠；Intel的PowerVia背侧供电技术则将推动W2W混合键合趋势加速。Technoprobe凭借在探针卡领域的优势直接受益于测试需求增长，Besi则在混合键合领域与台积电深度合作，有望在高堆叠HBM量产中获得更大市场份额。

800V电源架构转型，GaN机遇与风险并存

德银表示，英伟达推动AI数据中心从48V向800V电源架构转型，成为功率半导体领域的重要变革，氮化镓（GaN）作为核心器件迎来发展机遇，但市场乐观情绪已出现过度反应迹象。当前48V架构在高功率传输中存在严重功率损耗和铜缆成本问题，800V架构通过高压低电流传输，可显著提升效率并降低铜缆使用量，同时借鉴电动汽车快充技术，简化供电链路。

这一转型涉及电网接口、机架级DC/DC转换和板级电源三个关键阶段，电网接口需升级为固态变压器（SST），采用SiC开关和高频磁元件；机架级转换依赖高压GaN、SiC等器件实现高效降压；板级电源则面临传统横向VRM与垂直/共封装电源的技术路线竞争，谷歌已在TPU中部署垂直电源，能耗较GPU降低60-65%。

从市场前景来看，AI处理器功耗预计将从2023年的7GW增长至2030年的70GW，为GaN和SiC创造巨大市场空间，Infineon预计到2030年其AI电源可寻址市场规模将达到80-120亿欧元。

但德银警告，Aixtron股价自2025年11月3日Kerrisdale报告发布以来已上涨28%，且面临两项券商上调评级，当前市场对GaN的乐观预期可能已过度，若800V架构部署因技术挫折或其他因素延迟，相关企业将面临估值回调风险。相比之下，Infineon凭借率先实现300mmGaN量产的优势，在数据中心领域的市场份额有望持续提升。

边缘AI打破沉寂，轻量化部署开启千亿市场

边缘AI历经多年蛰伏后，2026年将迎来适度增长态势，成为科技硬件行业不可忽视的新增长点。所谓边缘AI，是指在终端设备或本地边缘节点开展轻量化AI处理，无需依赖云端重型计算，其核心优势在于保障数据隐私、降低传输延迟，同时大幅节省数据中心建设与运营成本。

德银在研报中表示，从应用场景来看，边缘AI已在多个领域形成落地态势。汽车ADAS系统、视频安防设备、工业控制终端成为核心应用场景，Rockwell近期推出基于英伟达NemotronNano的专用小型语言模型（SLM），依托开源模型与英伟达Nemo技术，为工业环境提供边缘生成式AI能力；Ambarella透露，其涉及设备端AI处理的边缘AI业务，2025年已占公司营收的80%。消费电子、可穿戴设备、智能家居等领域则成为潜在增长极，合计占据边缘AI设备市场约70%的机会空间。

市场规模有望实现高速扩张，SHDGroup预测，到2030年边缘AI设备收入将达到1030亿美元，2025-2030年复合年增长率高达21%；CEVA更预计，其物理AI与边缘AI的可寻址市场规模到2030年将突破1700亿美元。轻量化蒸馏模型的迭代为行业增长提供关键支撑，HuggingFace榜单显示，MicrosoftPhi-3.5-mini-Instruct、DeepSeek-R1-Distil-Owen-1.5B等参数小于30亿的模型已具备较强实用性，推动边缘AI在低算力设备上的普及。