北京
国家知识产权局信息显示，深圳市鹏进高科技有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN121078765A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，用于降低半导体器件的欧姆接触电阻；半导体器件包括：衬底、外延层、第一掺杂部、第二掺杂部和欧姆接触层；外延层设于衬底的一侧，外延层包括碳化硅外延层；第一掺杂部嵌入外延层远离衬底的表面；第二掺杂部嵌入外延层远离衬底的表面，且第二掺杂部环绕第一掺杂部；第一掺杂部为P型掺杂，第二掺杂部为N型掺杂；欧姆接触层包括第一子部和第二子部，第一子部设于第一掺杂部远离衬底的表面；第二子部设于第二掺杂部远离衬底的表面，第一子部和第二子部均包含碳；其中，欧姆接触层的材料包括金属硅化物，且，第二子部中硅的摩尔百分比，大于，第一子部中硅的摩尔百分比。上述半导体器件应用于芯片中。
天眼查资料显示，深圳市鹏进高科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本210800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏进高科技有限公司参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可96个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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