四川
2025年长光华芯业绩扭亏为盈，技术突破不断，还积极拓展国内外市场，同时推进重点产能项目，整体呈现良好发展态势，多项技术指标刷新纪录，双结单管芯片室温连续功率突破132W，780nm DFB激光器输出功率超10W，多结VCSEL单模功率达20.2mW；新品方面，9月发布200mW Uncool CW DFB光通信芯片，其60kW 808nm宏通道叠阵模组获行业技术创新奖，“高功率半导体激光芯片关键技术及产业化”项目还拿下中国光电博览奖金奖。此外，100G EML芯片实现量产，200G EML完成送样。
9月在深圳光博会双展亮相并举办新品发布会；海外布局上，4月携高功率单管芯片、905nm 300W VCSEL芯片等产品亮相日本OPIE展会，对接当地核心合作伙伴以深耕日本市场。同时业务合作持续落地，VCSEL芯片进入禾赛科技等激光雷达头部企业供应链，高功率芯片也导入锐科激光等主流设备厂商。
长光华芯在国内江苏苏州设有核心生产基地，该基地是其开展半导体激光芯片研发与量产的核心载体，基地位于苏州高新区漓江路56号，2022年完成搬迁并投入使用，是全球少数具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM模式工厂。这里搭建了覆盖芯片设计、外延生长到封装测试的全流程工艺平台，布局有2吋、3吋、6吋多条量产线，其中6英寸晶圆垂直整合生产线性能领先，相比传统产线可使芯片容纳量增加5倍，还能大幅降低人工成本和次品率。
该基地可量产高功率单管、巴条等系列激光芯片，同时承担VCSEL芯片、光通信芯片等产品的生产任务，月产激光芯片能力可达超千万颗，能满足国内高端光通信芯片未来2 - 3年的需求，其产出的芯片广泛应用于激光智能制造、医学美容、激光雷达、数据中心等多个领域。此外基地还配套建有苏州半导体激光创新研究院，助力氮化镓等新型激光芯片的技术攻关与产业化落地。
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