北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“离子注入设备和离子注入方法”的专利，公开号CN121075894A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种离子注入设备和离子注入方法，该设备包括：用于承载半导体结构的承载台；用于产生离子束并驱动离子束向半导体结构运动的离子束产生系统；位于离子束产生系统和承载台之间的离子束阻挡系统，其包括具有弧形边缘的离子束通道；离子束经离子束通道注入半导体结构；控制系统，用于控制承载台围绕指定旋转中心旋转，并控制离子束通道沿半导体结构径向运动，使得经离子束通道注入半导体结构的离子束在半导体结构上形成沿半导体结构径向分布的至少两个形状为圆形、环形或扇环形的区域；区域弧度与离子束通道弧形边缘弧度相匹配。通过本申请实施例，减小了半导体结构上相邻离子注入区域之间的过渡区域沿半导体结构径向的宽度。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目632次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1450条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
