北京
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国家知识产权局信息显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法”的专利，公开号CN121065671A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明是一种优化ALD沉积氧化铝膜层性质的方法，包括通过调功器控制炉口温度高于炉尾温度，具体是控制炉口温度为190℃，炉尾温度为160℃。经检测，工艺完成后炉口和炉尾硅片氧化铝薄膜的膜层厚度差异很小，且工艺后炉口和炉尾物料电池性能差异较小，炉尾硅片的少子寿命也得到有效延长。本发明的优点：方法设计合理，通过设置炉口控制温度高于炉尾控制温度，实现有效缩小炉口与炉尾膜厚差异和效率差异。
天眼查资料显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本7400万人民币。通过天眼查大数据分析，艾华（无锡）半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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