北京
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国家知识产权局信息显示，布鲁尔科技公司申请一项名为“EUV光刻的底层及方法”的专利，公开号CN121079642A，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，公开了用作EUV底层的新型光刻组合物。本发明包括使用这些组合物制造微电子结构体的方法，以及通过这些方法形成的结构体。所述方法涉及在光刻胶层正下方使用底层。所述底层可以直接施加到基材上，或者可施加至任意中间层上，所述中间层可施加至所述底层。优选的底层由可旋涂的、单体型、低聚物型和/或聚合物型组合物形成，并展现出均匀厚度和低粗糙度。所公开的方法能够使用EUV光刻实现14/28nm的图案，并且比标准EUV底层具有更好的焦深(DOF)。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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