北京
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有降低的划线脆弱性的III-N半导体装置”的专利，公开号CN 121057294 A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本公开的实施例涉及具有降低的划线脆弱性的III‑N半导体装置。本发明涉及一种半导体装置(100)，其包括：半导体衬底(102)；III‑N半导体层(104)，其在所述半导体衬底上方；介电层(110)，其沿着所述III‑N半导体层；第一沟槽及第二沟槽(114，116)，其穿过所述介电层和至少一个III‑N半导体层；以及填充材料(124R)，其填充所述第一沟槽及所述第二沟槽中的每一个的至少一部分且具有与所述介电层的上部表面对准的上部表面。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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