广东
拓荆科技(688072)12月4日召开2025年第三季度业绩说明会，公司针对2025年第三季度的经营成果及财务指标的具体情况与投资者进行交流。
拓荆科技一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体增强化学气相沉积）以及Flowable CVD（流动性化学气相沉积）为主的薄膜设备系列产品，以及应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的测量检测设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装等领域得到广泛应用。
“公司目前主要在沈阳、上海临港设有产业化基地，总体可支撑超过700台套/年产能，公司正在建设沈阳二厂，将进一步扩大未来产能支撑能力。”拓荆科技在本次业绩说明会上介绍，公司目前PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用，目前在手订单饱满，如果后续下游客户进一步扩产，预计将持续拉动对该等产品的需求量。
拓荆科技称，公司薄膜沉积系列产品仍在持续地拓展工艺并扩大量产规模，截至2025年三季度末，公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM以及PECVD Bianca、ALD SiCO等先进制程的验证机台顺利通过客户认证，已进入规模化量产阶段。
在键合设备方面，公司晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发往客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利，此外，公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品。
拓荆科技认为，半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，半导体领域的新结构、新材料不断涌现，在制程层面，随着尖端芯片技术节点逐步逼近摩尔定律极限，全环绕栅极（GAA）、背面供电等核心技术应运而生，高K（High-K）金属栅等特殊材料的应用也愈发重要；在结构层面，数据量爆发式增长快速驱动高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND FLASH芯片堆叠层数不断提高，这一技术发展趋势将同时拉动下游客户对半导体设备技术和需求量的提升。
“公司将持续通过高强度的研发投入，持续深耕薄膜沉积设备和三维集成设备领域，基于原有优势，围绕半导体产业技术趋势，持续拓展先进制程领域所需的新产品、新工艺、高产能设备产品，保持公司的核心竞争力。”拓荆科技表示。
在谈及存储价格上升对公司的影响时，拓荆科技表示，存储价格上升反映出存储芯片市场仍有较大的需求量，从中长期来看，这可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能。随着存储芯片制程的推进及结构趋于复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜的性能要求越来越高，同时，驱动了高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND FLASH芯片堆叠层数不断提高，这些技术发展趋势都将大幅拉动薄膜设备的需求量。
公司拥有PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品以及先进键合系列产品，这些产品已在先进存储芯片制造领域获得广泛应用，因此，下游客户的持续扩产预计将进一步扩大该等产品的需求量。
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