北京
国家知识产权局信息显示，苏州信越半导体有限公司申请一项名为“一种二类超晶格分子束外延表面异常的解决方法”的专利，公开号CN121046959A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明涉及一种二类超晶格分子束外延表面异常的解决方法，所述解决方法包括：S1、确定表面异常的种类；S2、根据表面异常的种类，调整As源炉、Sb源炉、Ga源炉、In源炉以及Al源炉的工艺参数，并在外延生长前进行Sb饱和与As饱和。上述解决方法完成后，按照常规的二类超晶格分子束外延生长的方法进行GaSb脱氧、高温GaSb缓冲层生长、InAs/GaSb二类超晶格生长与低温GaSb生长，最终得到的外延片的缺陷密度在400/cm。
天眼查资料显示，苏州信越半导体有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6007.5386万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州信越半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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