中国芯片制造能否复制中国光伏的成功经验？

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光伏是中国制造的一张靓丽的名片。中国光伏制造全球市场份额超过90%，相比之下，中国大陆本土企业芯片制造的全球市场份额不足10%（加上在华外资企业可达20%）。芯片制造被称为最后一个没有实现国产替代的大产业。那么，中国光伏制造为什么能够成功？中国芯片制造又能否复制中国光伏的成功经验？

读懂中国光伏，就读懂了中国制造。我们来简单回顾一下中国光伏的崛起过程。

2001年，无锡尚德成立，为中国光伏产业的启动拉开了序幕。2004年，德国修订《可再生能源法》，欧洲对光伏的需求爆发，中国利用“进口原料+进口设备+国内低成本制造”快速扩产，但面临原料、设备、市场“三头在外”的风险。2008金融危机使光伏市场需求暴减，叠加光伏产能过剩，让中国光伏行业遭遇重大危机。2011-2012年欧美联合“双反”关税，欧美市场关上大门，中国几百家光伏电池组件厂倒闭，行业第一次大洗牌。光伏厂家通过原料和设备的国产化大幅降本，自身技术升级提高效率，加上中国政府通过补贴启动国内光伏市场，让光伏行业度过危机。中国光伏厂家还通过海外建厂规避欧美关税壁垒，重启海外市场，此后一骑绝尘，通过“原料设备国产化降低成本+技术迭代取得效率领先”，从而成就全球霸主地位。

我们看到，中国光伏崛起的模式是先利用国内的低人工成本，从海外进口原料和设备，占据中低端市场。然后，通过在国内采购原料和设备实现国产替代，进一步降低成本。稳定中低端市场后，通过大量研发投入，挺进高端市场。在市场竞争上，一方面依托国内市场兜底，另一方面通过海外建厂拓展国际销售渠道，从而实现中国光伏产业的逆袭。

实际上，不仅是光伏，中国其它产业的崛起过程或多或少用的都类似于这个模式。需要注意的是，这个模式仅适用于大产业，不适用于细分领域的高精尖的小产业。细分市场由于市场容量很小，能容纳的玩家很有限。比较典型的如圆珠笔芯上的那粒钢珠，中国仍全部从日本进口。之所以没有国产化，不是中国企业做不出来，而是因为市场太小。笔尖钢和钢珠的用量极小，全球市场也就几千万人民币规模，中国钢厂不愿为这种小众、高精度材料频繁调试、小批量生产。生产笔头要在2.3毫米的球座体上加工出微米级沟槽，调试复杂、设备昂贵，需要用瑞士米克朗的高精度机床，国内的设备厂商也没有兴趣生产同类机床。很多高精尖的实验室设备，甚至是光刻机，情形都与圆珠笔钢珠相似。非不能也，实不欲为。

然而，先用低价占据市场，再通过原料、设备的国产化进一步降本，积累资金投入研发，挺进高端市场，这个模式在半导体产业却失效了。为什么中国大陆企业不能通过这个模式占领芯片市场，最主要的原因在于芯片的技术迭代太快，两年时间就将产品性能提高一倍，产品价格下降一半。在这种速度下，中国大陆企业首先就连芯片的低端市场都占据不了，没有市场就没有能力扶持国内的原料和设备厂商，原料和设备无法国产化，就不可能进一步降低成本，企业就缺乏利润支持研发投入，如此恶性循环，中国大陆企业在芯片市场就始终处于落后追赶的局面。

以28纳米成熟工艺为例。28纳米工艺的芯片由于性价比高，目前仍处在黄金生命周期，被广泛应用于消费电子、汽车、工业与网络设备、通信、物联网和智能设备、安全与专用芯片等多个领域。28纳米芯片的市场，台积电占据45%的市场份额一家独大，三星占据20%紧随其后，格芯和联电各占13%和12%据第三、第四位。中国大陆企业有中芯国际、华虹半导体和晶合集成，市场份额合计约在10%（依据MRA报告）。

中国大陆企业之所以在28纳米工艺上直到现在还处于落后地位，首先在于最初技术迭代时间的落后。台积电、格芯等企业早在2010年左右就实现了28纳米工艺的规模化量产，中国大陆最早量产28纳米的中芯国际2015年才实现该工艺量产。半导体企业的生产成本在设备上占大头，普遍实行5年折旧。中国大陆企业在28纳米工艺上落后了5年时间，意味着刚启动市场时，海外竞争对手已经把设备的折旧都提完了，可将产品价格大幅降低，中国大陆企业根本连低端市场都难以占领。

中国大陆企业在28纳米芯片上只能靠低价甚至亏损来维持市场竞争，市场份额小、企业利润低，自然没有实力扶持国内半导体设备厂商的国产化替代。加上海外对28纳米光刻机不禁售，也打击中国大陆芯片厂采购国产光刻机的意愿。

直到2023年底，上海微电子（SMEE）才宣布首台28纳米浸没式DUV样机（SSA800/10W）研制完成，通过工厂内部工艺验证。2024年，该设备进入中芯国际北京线做晶圆级验证，良率从85%提到90%，达到可量产门槛。2025年5 月，上海微电子完成首台商业28纳米光刻机交付，宣布开始“小批量量产”。9月，中芯国际开始测试相关设备，进一步推进产线兼容性验证。10月，华虹半导体无锡厂接收了首批验证机，测试结果显示良率稳定在95%以上，性能指标已能满足28纳米芯片生产的核心需求。这款28纳米光刻机的国产化率已突破70%，核心的双工件台、投影物镜等部件均实现国产供应。预计要到2026年完成更多客户验证后，才会正式宣布商业化。

连28纳米光刻机都要到2026年才能国产化，更不要说能生产14纳米、7纳米、5纳米、3纳米和2纳米等先进工艺芯片的DUV甚至是EUV光刻机了。以光刻机为代表的半导体设备迟迟未能国产化，以硅晶圆为代表的半导体原料才刚部分国产化，中国大陆芯片厂也就无法通过国内的设备和原料采购来降低成本，不能通过低价竞争来占领低端芯片市场。连28纳米这样相对低端的芯片市场都占领不了，自然就在研发投入无法与海外大厂相比，难以追赶14纳米及以下先进工艺。如此恶性循环，半导体产业也就成为最后一个未实现国产替代的大产业了。

好消息是，摩尔定律快要到头，芯片先进工艺到1纳米（10埃）后就将难以为继，英伟达GPU的耗电量越来越大就是明证。这就意味着，中国大陆企业，无论是芯片制造厂还是半导体设备供应商，与海外的技术差距一定是在不断缩小的。只要海外大厂的技术不再迭代，再先进的技术，如EUV光刻机，迟早也会变成落后技术，中国大陆企业取得技术突破指日可待。一旦半导体产业的关键设备（如EUV光刻机）和关键原料（如硅晶圆）实现国产替代，光伏产业通过降本增效实现逆袭的历史就可在半导体产业上重演，芯片国产替代也将随之成为现实。

（作者简介：余盛，硬科技财经作家、荷兰商学院行业导师，著有《中国光伏突围战》《芯片战争》《芯片浪潮》《手机战争》《金龙鱼背后的粮油帝国》等作品。欢迎关注公众号“余盛”，第一时间阅读余盛本人的原创科技、财经和历史类深度评论文章。）

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