美光纽约晶圆厂扩建推迟五年，爱达荷州第二座晶圆厂提速

11月10日消息，据外媒Syracuse报道，美光最新披露的一份文件显示，其在美国纽约州克莱附近的晶圆厂建设计划将推迟5年，不过其在爱达荷州的第二座晶圆厂将会进一步加速建设。而来自美国《芯片与科学法案》的补贴资金也将优先分配给爱达荷州的第二座晶圆厂的建设。

在今年6月12日，美光就宣布了其高达2000亿美元的美国投资计划。其中，500亿美元将会投入到研发投资当中。另外1500亿美元的投资将用于扩大产能，具体包括：在爱达荷州博伊西建造第二家领先的内存工厂；扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂并对其进行现代化改造；位于纽约的多达四座领先的大批量晶圆厂；并将先进的HBM封装能力引入美国，以实现对 AI 市场至关重要的高带宽内存 （HBM） 的长期增长。

根据美光今年6月披露的环境影响报告 （EIS） 文件草案，第一座晶圆厂（Fab 1）的建设阶段将从 2026 年底开始（根据该公司7月1日公布的美国扩张计划，经过一年的准备工作，从 2025 年底开始），并将持续到 2028 年下半年或 2029 年初。工厂的完全装备通常需要 12 到 24 个月，具体取决于各种因素；因此，可以合理地预计美光第一座晶圆厂将在 2030 年的某个时候开始生产 DRAM，比最初预期晚了五年。

同样该文件还将晶圆二 厂的开工时间定为 2028 年下半年，晶圆三厂的开工时间定为 2033 年下半年，晶圆四厂的开工时间定为 2039 年上半年。因此，美光的存储产能扩建计划将会在2045 年完成并全面投产，这比原计划晚了五年。

美光在 EIS 声明中写道：“美光将从 2025 年第四季度开始动员为拟议项目进行初步现场准备，前两个 DRAM 制造设施（晶圆一厂和晶圆二厂）预计分别在 2029 年和 2030 年投入运营，其余晶圆厂（晶圆三厂和晶圆四厂）预计将于 2035 年和 2041 年投入运营。

如果Syracuse的消息属实，美光的纽约州晶圆厂项目似乎面临另一个重大延误。初始晶圆厂的建设阶段现在将持续约四年而不是三年，从而将晶圆一厂的完工时间推迟到了 2030 年底，而不是 2028 年下半年。这自然会推迟整个项目，以及招聘和运营时间表。据说新计划已获得奥农达加县工业发展局的批准，这意味着在监管机构审查下一阶段的批准和税收优惠的同时，场地准备工作可以继续进行。

报道称，美光没有具体说明修改时间表的原因，但承认对其与美国商务部的 61 亿美元《芯片与科学法案》融资协议进行了修订。据称，这一修改将美光在纽约的运营开始窗口延长了大约 2 年，因为据报道该公司提前了其在爱达荷州的 ID2 工厂。爱达荷州的两个设施——一个现有设施和一个计划中的设施将比克莱的设施提前完工，这表明项目优先事项正在进行战略性调整。

编辑：芯智讯-林子