前沿导读
美国《时代》周刊在今年的专栏资讯中向国际层面抛出一个疑问:
中国企业受到美国多年的芯片限制,甚至ASML首席执行官都公开表示中国芯片的制造技术落后ASML至少10到15年的时间。在如此巨大的产业落差下,中国自主的芯片技术非但没有落后太多,反而还在竞争最激烈的AI领域取得了多项技术进展,紧追美国技术的脚步,这实在是令人震惊。
技术追赶
此前,国际先进的半导体产品由美国及其同盟国所主导,尤其是在先进的算力芯片领域,美国英伟达和AMD几乎垄断了算力市场。而那些专注于制造先进芯片的工厂和设备制造公司,例如台积电、ASML、应用材料等企业,也在美国的压力之下被禁止向大陆企业出售芯片和制造设备。
2024年11月,谷歌前CEO埃里克·施密特在哈佛政治研究所论坛上表示,美国在开发更强大的人工智能竞赛中,明显落后于中国。中国的几个大型科技项目已经追上了美国的技术进度,并且这是建立在特朗普和拜登政府采取特别的限制举措下,通过限制高性能芯片供应给中国之后所出现的情况。
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针对中国技术的快速追赶,美国创新咨询研究员古普塔在接受《时代》周刊采访时表示:
中国的优势就是在于他们可以很好的利用硬件,将现有的产品或者是被允许采购的产品,通过技术上的调整增强其运行效率,从而在一定程度上降低对美国技术的依赖。并且中国的资源优势明显,中国企业可以通过电力资源的强大供应能力,持续推动AI模型的技术训练,而美国在电力资源的供应上面明显力不从心。
美国技术安全中心领导伦纳特·海姆也对此声称:
尽管在过去几年内,中国芯片技术已快速进行追赶,美国的领先优势逐步缩小,但差距的缩小并不代表着出口管制的失败。光刻机的封锁将中国芯片继续压制在7nm节点,中国企业需要更长的时间才能解决这个问题。这不仅仅只是技术上的差距,更是供应链的差距。
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由此可以看出,光刻机设备依然是制约中国芯片快速发展的核心难题。
光刻设备的先进程度,直接决定了芯片制程的工艺和性能,是半导体工业中最复杂、最关键的环节,耗时占芯片制造50%左右,成本约占芯片生产成本的1/3。
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虽然国内的光刻机产业起步较早,但与国际领先水平差距明显。在高端光刻机领域,国外已经可实现3nm级别的芯片制造,而国内还处在14nm向7nm的过渡阶段,这种代差使得光刻机成为中国芯片产业"卡脖子"的最关键环节之一。
本土产业
ASML现任CEO克里斯托弗·富凯,曾经针对中国芯片产业对外发表评价称:
中国企业在半导体领域取得了显著的技术进步,这看起来是个好消息。但是他们的本土设备与ASML差距还是很大,制造技术也落后于台积电和三星,整体的差距在10到15年左右。
中国企业曾采购了不少被允许出口的ASML光刻机,他们用这些设备制造出来了7nm芯片,但是他们没有EUV光刻机,这直接导致中国芯片被锁死在了7nm节点。
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半导体制造是一个长期且复杂的过程,先进光刻机作为关键的生产工具,对芯片制程的提升起着至关重要的作用,其技术优势难以通过其他手段轻易弥补。
从2023年第三季度以来,中国大陆市场连续多个季度成为了ASML最大的单一市场,其占据了ASML总营收的40%以上。据ASML首席财务官罗杰·达森在年度财报上面表示,ASML向中国企业交付的这些光刻机,均符合美国以及荷兰的出口条例,最终采购地都是中国大陆的成熟工厂。
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中国制造的成熟芯片,已经在国际市场上占据了20%以上的市场份额,成为了全球最大的芯片制造国,同时也是国际范围内最大的芯片供应商。强大的供应链体系,让中国成熟芯片正在逐步成为世界产业的基石。
与此同时,中国本土企业也在光刻机领域积累经验,开始研发先进的前端光刻机。
芯上微装公司在今年举办的湾芯展中首次现身,该公司是上海微电子独立出来的部门,专注于将自主研发的光刻机快速进行市场化,目前已经向相关企业交付了500台用于封装环节的光刻机设备。据工作人员对采访记者表示,芯上微装将会专注于制造高水平的国产光刻机设备,推动中国光刻机产业快速进行商业化,从而带动整个国产供应链发展。
参考资料: ASML:中国芯片制造技术落后西方10-15年 美媒纳闷:芯片限制下,中国怎么还能在AI领域取得这么大进展?
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