【硬件资讯】三星HBM苦尽甘来！HBM4首秀破局，产能提前售罄！逆袭登顶可期！

新 闻1： 消息称三星 HBM3E 已量产供货英伟达，HBM4 产能被预订一空

11 月 1 日消息，科技媒体 sammyguru 昨日（10 月 31 日）发布博文，报道称得益于人工智能（AI）产业的蓬勃发展，三星的高带宽内存（HBM）业务正迎来强劲复苏，HBM4 芯片 2026 年的计划产能已全部售罄。

三星在近期公布的 2025 年第三季度财报中确认，其存储业务季度销售额创下历史新高。财报明确指出，HBM3E 芯片“目前正处于量产阶段，并已向所有相关客户供货”。

该媒体认为这标志着这家韩国存储巨头在关键的 AI 硬件竞赛中，已成功打入英伟达的第五代 HBM 芯片供应链，是一个重要的里程碑。

IT之家援引博文介绍，在下一代产品方面，三星同样取得了先发优势。尽管距离正式量产尚有时间，但其第六代产品 HBM4 已获得客户的高度关注。

三星已将这款尖端内存芯片的样品送至主要客户处进行质量测试，从目前的预购情况来看，产品性能已满足买家要求，促使他们提前下单锁定产能。

原 文 链接：https://m.ithome.com/html/894065.htm

三星HBM业务终于迎来苦尽甘来的逆袭开端——公司近日正式确认，2026年全年的HBM产能已被客户完全预订，新增订单仍在持续涌入，不得不紧急启动平泽工厂的生产线扩建计划，预计将新增3条HBM专用生产线。

这一幕与此前的窘境形成鲜明对比：此前HBM3时代因良率不足、散热不达标错失NVIDIA核心订单，生产线利用率不足50%，部分设备长期闲置，2024年二季度市场份额更是跌至17%，被美光反超跌至全球第三。

虽然三星未直接披露客户名单，但财报电话会议中“HBM3E销售正逐步扩展至所有核心客户”的表述，被业界普遍解读为已通过NVIDIA资格认证的信号。供应链消息显示，此次产能预订中AI芯片厂商订单占比超70%，大概率包含NVIDIA下一代GPU的配套订单。

新 闻 2： 三星 HBM4 内存首秀：逻辑芯片良率达 90%、引脚速度 11 Gbps

10 月 23 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 22 日）发布博文，报道称在韩国首尔举办的 2025 年半导体展览会（SEDEX）上，三星首次公开展示了 HBM4 内存，表明这家韩国科技巨头已为即将到来的高带宽内存市场竞争做好了充分准备。

HBM4 是指第四代高带宽内存。一种用于高性能计算（特别是 AI 加速器）的堆叠式存储器技术，通过在垂直方向上连接多个 DRAM 芯片，实现比传统内存更高的数据传输速率和更低的功耗，是 AI 加速卡的核心部件之一，直接影响未来 AI 性能的扩展。

包括三星、SK 海力士和美光在内的主要内存制造商为确保其产品能被市场广泛采用，都在全力开发具有竞争力的 HBM4 解决方案。

根据行业媒体 DigiTimes 的报道，三星的 HBM4 逻辑芯片良率已达到 90%。这一高良率指标表明，三星已为大规模量产做好了准备，并且目前预计不会出现生产延迟。这对于满足未来 AI 市场对高性能内存的庞大需求至关重要，也让三星在与对手的竞争中获得了关键优势。

为了确保其 HBM4 产品能尽早获得市场采纳，三星正在实施多项竞争策略。这些策略包括维持有竞争力的价格、提供比对手更高的产能，以及向英伟达等关键客户交付更快的引脚速率。

三星 HBM4 的引脚速率可达 11Gbps，高于 SK 海力士和美光目前公布的水平。虽然三星尚未获得英伟达的 HBM4 供应认证，但鉴于其技术进展，前景十分乐观。

原文链接：https://m.ithome.com/html/891733.htm

订单爆满的背后，是三星在下一代技术上的提前破局——采用14层堆叠设计的HBM4内存已正式完成首秀，直接亮出性能与量产双重底牌。这款新品的峰值带宽突破1TB/s，较上一代HBM3E提升近30%，同时通过电路优化将能效比提升30%，彻底解决了此前高带宽伴随高功耗的核心痛点。

技术上的优势更显竞争力：14层堆叠工艺比同期SK海力士公布的12层方案密度更高，单颗芯片容量可达36GB，能更好适配AI大模型训练的大内存需求。三星明确表示，HBM4已进入最终测试阶段，计划2025年正式量产，这一进度比原规划提前一个季度，显然是为巩固逆袭优势蓄力。

新 闻3： 三星本月将向英伟达交付HBM4样品，目标2026年初通过认证

据TrendForce报道，在宣布与英伟达建立“AI Megafactory”合作关系后不久，三星便将注意力放到了英伟达的HBM4资格认证上。有消息人士透露，三星在完成内部可靠性测试后，计划本月向英伟达提供样品进行最终验证，用于性能测试，目标2026年初通过最终认证。如果一切顺利，大批量发货将安排在2026年下半年进行。

根据三星和英伟达的联合声明，三星将向“AI Megafactory”供应最新的DRAM产品，包括HBM3E、HBM4、GDDR7和SOCAMM2，另外还会提供代工服务。三星强调，正在就HBM4的供应与英伟达展开密切磋商，如此高调的做法在三星身上是很罕见的。

三星的HBM4结合了4nm基础裸片，并搭配1cnm DRAM芯片，数据传输速率突破了11Gbps，远远超过了JEDEC制定的8Gbps行业标准及客户预期。对于三星来说，HBM4是其在HBM领域赶超竞争对手SK海力士及重夺DRAM市场领导地位的关键，需要以最快的速度抢占先机。

不过有业内人士表示，三星面临的最大挑战仍然是良品率问题。传闻三星目前HBM4样品的良品率大概在50%，这个数字来自于产量有限的晶圆测试，在全面量产之前，三星需要确保良品率达到70%以上。

原文链接：https://m.ithome.com/html/895850.htm

三星HBM的逆袭迎来最关键佐证——针对核心客户英伟达的HBM4样品交付工作已进入最终筹备阶段，预计本月内即可完成样品送达，若后续认证顺利，2026年将实现正常批量交货。这一进展彻底扭转了此前HBM3时代因技术不达标错失英伟达订单的被动局面，成为其重返HBM核心供应链的标志性事件。

此次待交付的HBM4样品采用12层堆叠设计，单颗容量36GB，数据传输速率突破11Gbps，结合4nm基础裸片与先进封装技术，能效比较HBM3E提升40%，完全适配英伟达下一代Rubin架构GPU的算力需求。据供应链透露，该样品已在8月通过英伟达初步可靠性测试，目前良率约50%，三星正全力攻坚将其提升至70%以上，为明年量产交货扫清障碍。

行业预测，随着对英伟达供货落地，2026年三星HBM市场份额将从当前17%跃升至30%，与SK海力士、美光形成三足鼎立格局，全球HBM供应紧张态势也将随之缓解。

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