HBM4争霸战：美光开发受挫、SK 海力士领跑、三星急追

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来 源： 内容来自钜亨网。

根据南韩媒体报道，美光科技(的HBM4 产品，难以满足英伟达严苛的性能和能源效率要求，可能迫使该公司重新设计HBM4 芯片架构。如果消息属实，这将导致美光的量产计划延迟长达9 个月，HBM4 的上市时间推迟到2026 年，并使其无法按时完成英伟达的订单。

SK 海力士：独步全球率先量产

与此同时，SK 海力士持续巩固其在HBM 市场的独步地位，并于9 月率先宣布完成全球首条HBM4 量产体系的建置。 HBM4 是为应对AI 产业及数据中心市场对极高频宽和电力效率的要求而设计的尖端半导体。

SK 海力士的HBM4 产品展现出惊人性能：不仅将频宽（HBM 封装单次处理的总数据容量）扩大两倍，同时将电耗效率提升了超过40%。业界预期，将该产品导入系统后，AI 服务性能有望提高多达69%，能有效从根本上解决数据瓶颈问题，并大幅降低数据中心的电力成本。

据报导，SK 海力士的HBM4 已通过主要客户辉达的验证，并计划于2025 年第四季开始供货。

三星电子：加速竞争脚步

竞争对手三星电子也已完成HBM4 产品开发，并积极准备投入市场竞争。三星最近在2025 年半导体大展（SEDEX）上首次公开展示了HBM4 实物，并计划利用其10 纳米级6 代（1c）DRAM 制程导入量产体系。这项策略旨在速度和功耗效率方面取得相对优势。

技术层面上，三星的HBM4 量产已亮起青灯。消息指出，作为HBM4 量产关键的逻辑芯片（Logic Die）良率已提升至惊人的90%，DRAM 单品良率也已超越可量产水准。三星的HBM4 预计在2025 年第四季度推出，目前没有延迟的迹象。

市场洗牌：韩系双雄瓜分千亿美元市场

HBM4 对于AI 和数据中心的高功率运算至关重要，要求远高于前几代产品。分析师警告，若美光持续落后于SK 海力士和三星，恐错失AI 数据中心的大量订单。当前市场格局显示，SK 海力士以62% 的份额垄断HBM 市场，三星则在后蓄力冲刺30%。

业界预估，HBM 市场规模将在2026 年暴涨70%，并于2030 年冲破千亿美金量级。

传SK海力士HBM4涨价逾50%

韩媒《BusinessKorea》报导，据业界消息，SK 海力士(SK Hynix) 与AI 巨头英伟达谈判中占上风，成功将HBM4 价格上调超过50%，并预期营业利益明年可能突破70 兆韩元。此报导刊出后，SK 海力士亦给出官方回应，此消息为不实消息，公司对客户相关事宜不予置评。

韩媒引述消息人士指出，SK 海力士已与英伟达完成第六代高频宽记忆体(HBM4) 供应价格协商，价格较HBM3E 大幅调涨逾五成，单价约500 美元以上，巩固其在高端HBM 市场的主导地位。

业界预估，该公司明年仅HBM 业务营业利益就可达约25 兆韩元，整体营业利益上看70 兆韩元，将再写新高。

SK 海力士今年3 月率先向英伟达交付全球首款HBM4 12 层堆叠样品，并在6 月开始提供初期批量。

HBM4 将搭载于英伟达预计于明年下半年推出的新一代AI 芯片Rubin。由于HBM4 采用2,048 组资料传输通道，较前代倍增，并在基底芯片中新增计算效率及能源管理等逻辑制程，制造成本显著增加，SK 海力士自HBM4 起更将基底芯片委由台积电代工。

价格谈判期间，英伟达一度对大幅涨价有所保留，并以三星电子与美光即将加入供应为背景据以议价，但最终仍接受SK 海力士所提出的价格。公司人士强调，HBM4 制程进步与投入成本提升，具备调涨理由。

完成议价后，SK 海力士向机构投资人表示，明年高利润率将延续，目前符合英伟达规格的产品价格与供应量已确定，即使三星与美光投入HBM4 市场，也不会对业绩造成不利影响。

市场推算，HBM4 毛利率约达六成；若维持今年水准，HBM 事业明年将创造约25 兆韩元营业利益，整体HBM 业务销售额可望较今年成长四至五成。

此报导刊出后，SK 海力士最新回应写道，此消息为行业相传，属不实消息，而公司对客户相关事宜不予置评。

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