中微尹志尧：14nm以下芯片，刻蚀机越来越重要，甚至不亚于光刻机

说起芯片制造这事儿，总有人第一时间想到光刻机，那玩意儿确实牛，全球就荷兰ASML一家独大，EUV光刻机更是100%垄断。可你仔细琢磨琢磨，14纳米以下的先进制程，刻蚀机这家伙的作用可一点不比光刻机差劲儿，甚至在某些环节还更吃重。

中微公司的老大尹志尧，前阵子在访谈里直言不讳，芯片加工到这个地步，光刻机管图案转移，刻蚀机管精细打磨，缺了谁都不行。尹志尧这人，81岁了还一线冲锋，硅谷混了20年，2004年回国办中微，硬是把国产刻蚀机从零搞到能跟国际巨头掰手腕。

尹志尧这辈子，跨度大得像部工业史诗。1944年出生在北京，那时候国家百废待兴，他1962年考进中国科学技术大学化学物理系，毕业后分到兰州炼油厂搞催化剂研究。接着在中科院石油所深耕，1978年读北大化学硕士。

80年代初出国，1984年拿下加州大学洛杉矶分校物理化学博士，一头扎进硅谷。英特尔起步，当工艺工程师，琢磨硅片刻蚀参数；后来跳槽Lam Research，做资深研发经理，带队优化等离子体技术；再到Applied Materials，先管刻蚀设备部门，当上CEO，后升副总裁兼亚洲CTO。

硅谷20年，他攒下86项美国专利、200多项国际专利，亲手参与从微米到纳米级的设备迭代。2004年，60岁那年，他拉着15个老部下回上海，创办中微半导体设备公司，主攻刻蚀和薄膜沉积。为什么回？他说中国半导体起步晚，设备全靠进口，卡脖子风险太大，得自己动手。

起步时，公司就一间金桥开发区的厂房，团队从头啃CCP刻蚀机技术，2007年首台设备出炉，勉强赶上65纳米制程。那时候国际巨头瞧不上眼，可尹志尧不急，咬牙迭代，2011年搞定45纳米介质刻蚀，2013年22纳米跟上。

2019年科创板上市，资金一到，研发加速，2021年5纳米刻蚀机问世，直接进台积电供应链。这一路，尹志尧持股0.7%，但他不图钱，专注技术，2025年4月还公开恢复中国籍，摆明态度：根在中国。

硅谷老将回国，国产刻蚀从跟跑到并跑

刻蚀机这行当，门槛高，技术壁垒厚实。尹志尧常说，芯片制造九大核心设备，光刻24%、刻蚀20%、薄膜沉积20%，其他离子注入、涂胶显影啥的加起来也才剩点边角料。

光刻机牛在曝光图案，波长13.5纳米极限，14纳米以下得靠多重套刻，从20纳米翻版到10纳米、再到5纳米，每步都得刻蚀机来“雕花”。14纳米节点，刻蚀步骤65次；5纳米飙到160次；3纳米更别提，3D NAND从64层堆到200层，垂直壁面刻蚀精度得控在亚纳米级。

尹志尧举例，干法刻蚀用电离气体轰击硅片，产生挥发产物抽走多余材料，方向性强，不像湿法那么糙。光刻机是“画笔”，刻蚀是“刻刀”，薄膜沉积是“画布”，三缺一，芯片就废。全球市场，刻蚀被Lam、TEL、AMAT三家捏着90%份额，ASML的光刻更狠，EUV100%。

本土起步晚，北方华创追14纳米，中微领跑5纳米。尹志尧强调，制程越小，刻蚀越吃香，因为3D结构复杂，GAA晶体管弯道多，离子均匀性稍偏，短路漏电就出事儿。2025年，中微的0.02纳米精度实验室突破，相当于加工一个原子大小，量产虽有距离，但已不输巨头实验室。

芯片厂资本开支70-80%砸设备里，刻蚀机一台上亿，国产替代率升，中芯国际、长江存储成本降两成。尹志尧不藏着掖着，公开说中微元件100%国产，稳定性虽有小差距，但效率已追平。比起光刻机那“卡脖子”死穴，刻蚀国产化快多了，因为门槛虽高，但算法和材料本土化容易上手。

先进制程战场，刻蚀机悄然翻盘光刻霸主

14纳米以下，芯片从平面变立体，刻蚀机的戏份重得像主角。光刻机虽贵，单机投资上亿，但用量少，一条产线就几台；刻蚀机不一样，步骤多，设备得几十上百台，价值量直逼光刻。尹志尧算过账，5纳米逻辑芯片，刻蚀占比总工艺30%以上，存储芯片更高。

拿3D NAND来说，层数从128到200，刻蚀得钻孔、平坦化，每层偏差0.1纳米就报废整片晶圆。光刻极限在分辨率，刻蚀在选择性和均匀性，EUV光刻虽牛，但多重曝光成本翻倍，刻蚀优化能省下不少。

全球趋势，2025年半导体设备市场超1000亿美元，刻蚀份额稳20%，增长率15%，比光刻的12%还快。尹志尧在5月访谈里点破，芯片从2D到3D，刻蚀步骤量级跃升，市场体量井喷。中微的Primo系列，UD-RIE专治高深宽比沟槽，Menova金属刻蚀速率快30%，直接帮台积电南京厂降本。

台积电这客户挑剔，2025年6月，中微5纳米介质刻蚀机拿下10台订单，2026年Q1交付，首批进2纳米前验证线，虽然后来2纳米全面本土设备剔除，但7纳米和5纳米合作稳固。从28纳米起步，中微是大陆唯一进台积电蚀刻供应链的厂商。

尹志尧不满足现状，2025年研发投24.52亿元，占营收27%，聚焦ALD外延和EPI，填补薄弱环。比起光刻机那“荷兰一家独大”的尴尬，刻蚀国产空间大，北方华创补位，中微领军，2025年上半年本土替代率从10%升到25%。

尹志尧直言，刻蚀不亚于光刻，因为它管“执行力”，图案画得再准，刻歪了前功尽弃。行业里，清洗机日本占70%、CMP美国70%、检测美国70%，刻蚀是本土最亮眼的突破点。

中微这家公司，尹志尧一手拉扯大，从小作坊到全球玩家。2004年成立，初期就瞄准等离子体刻蚀，避开低端红海。2019年上市，市值破千亿，2025年上半年收入49.61亿，刻蚀37.81亿，薄膜9.5亿，其他2.3亿。

净利润7.06亿，扣非5.39亿，毛利率稳47%。客户群广，中芯国际、长江存储本土主力，台积电、SK海力士、联电海外大头，新加坡、韩国、德国厂也用上。2025年3月底，专利2941项，支撑技术护城河。尹志尧管人严，团队超2000人，成都基地2024年开工，聚焦3纳米。

9月CSEAC展，六款新品发布，ALD和EPI补齐平台化布局。话说，中微不玩虚的，2025年目标营收超90亿，全年已达标一半。挑战有，稳定性比巨头差5%，效率追平但良率优化中。尹志尧批内卷，说低端设备堆市场没前途，中微直奔高端，承担社会责任。

比方离子注入本土刚破28纳米，涂胶显影4%，氧化扩散5纳米日本81%，中微的刻蚀已3纳米，全面覆盖逻辑存储。2025年，出口收入占比升，韩国增100%，CCP稳定20年。尹志尧的逻辑简单：集中资源做最难的，5到10年内覆盖60%高端设备，无惧竞争。

展望未来，刻蚀机这赛道，尹志尧画的蓝图接地气又野心大。2025年5月，他说今后五到十年，中微不光刻蚀，还推薄膜、检测，平台化覆盖60%高端。理由足，先进制程需求爆，2纳米以下，刻蚀步骤超200次，3D结构更复杂，GAA和CFET晶体管需新刻蚀技术。

全球市场，2025-2030年复合增长12%，本土化率从35%冲50%。中微的0.02纳米精度，虽实验室，但量产路径清：先5纳米稳固，再3纳米迭代。尹志尧强调，自主可控不是闭门造车，得全球合作，但核心技术捏自己手里。

2025年10月，成都基地投产，新增产能20%，帮长江存储堆256层NAND。财务上看，全年营收目标90.65亿，已超半，净利润率稳25%。话说，这不光钱的事儿，战略意义大。芯片自产率20%，设备国产35%，刻蚀领跑拉动整体。

未来，2纳米剔除本土设备是警钟，但中微的7纳米5纳米根基在，南京厂订单续。行业痛点多，清洗CMP检测还弱，但刻蚀的势头，够鼓舞人。最终，芯片制造这盘棋，尹志尧下得稳，刻蚀机从配角变主力，本土半导体自主路，越走越宽。