IT之家 10 月 20 日消息,美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 在近日接受《日本经济新闻》采访时表示,2026 年的 DRAM 内存供应局面将比现在更为严峻。
Sumit Sadana 称这是因为 HBM 对晶圆的消耗约是传统 DRAM 产品的三倍,三大内存原厂的大量产能已投入到 HBM 上;而目前建设新的 DRAM 晶圆厂所需的时间和金钱成本也在上升,短时间内无法大规模扩产。
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这位 CBO 提到美光在 2026 年将小批量出货 HBM4 内存,有望在 HBM 领域实现高于 2025 年的市场占有,向 HBM 市占齐平整体 DRAM 的目标再进一步。
此外,美光看到从智能手机到汽车的整体产业平均 DRAM 搭载数量的提升,在车用产品方面美光将与客户合作重新审视更高的定价水平;至于 DDR4 内存,为满足客户需求美光决定稍微延长生产时间。
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