第473期|对话铌奥光电蔡鑫伦董事长，揭秘铌酸锂光芯片技术突围

本期大咖

蔡鑫伦

江苏铌奥光电科技有限公司的创始人和董事长。

国家优秀青年基金获得者，光电子集成芯片与器件国际知名专家。铌酸锂薄膜光电子芯片的研究获得2019、2020、2022年中国光学十大进展，以及2024年国际基础科学大会前沿科学奖。

江苏铌奥光电科技有限公司成立于2020年7月，是一家专注于薄膜铌酸锂调制器芯片及相关光互连器件的设计、研发和销售的高科技企业。公司创始团队包含多名光电子领域的科学家和业界知名企业高管，核心团队在薄膜铌酸锂领域进行了长期的研究并取得重大技术突破，完成多项具有里程碑意义的研究成果，并成功开发了多款基于薄膜铌酸锂的高速光通信芯片及器件、专用电光调制器器件，产品可广泛应用于数据中心、通信网络、仪器仪表及自动驾驶领域。

芯片揭秘的朋友们，在芯片领域，硅芯片的故事我们听了不少，但光芯片的赛道上，正有一个潜力方向悄然崛起 —— 那就是铌酸锂薄膜技术。

这次我特别邀请到铌奥光电创始人蔡鑫伦总，和他聊透了光芯片与硅芯片的核心差异，也拆解了铌酸锂薄膜在光通信中的关键角色。我们还聊到了行业里绕不开的对比 —— 铌酸锂、硅光、磷化铟在不同数据中心时代的应用场景与优劣势，也探讨了铌酸锂从实验室走向量产的难点、成本控制的可能性，以及国内在这一领域与海外的竞争态势。

如果你好奇光芯片赛道的技术细节，想了解一家初创公司如何突破 “卡脖子” 风险、推动新技术落地，这篇专访会给你答案。

铌酸锂薄膜技术：

从实验室走向产业的 “光芯片新势力”

幻实：本期节目，我特别邀请到了一位深耕极具前景领域的企业创始人，就是来自江苏铌奥光电科技有限公司（以下简称：铌奥光电）的董事长蔡鑫伦先生。

蔡鑫伦：大家好，我是蔡鑫伦，铌奥光电的创始人和董事长。

幻实：刚才我特意卖了个关子，其实您所深耕的领域极具前沿性，正是光芯片赛道，而您团队的核心方向是铌酸锂薄膜。不过，无论是 “光芯片” 还是 “铌酸锂薄膜”，对许多非专业领域的朋友来说，可能仍属于较难理解的概念。接下来，我们不妨从 “光芯片” 这个基础概念切入。此前我们已经围绕硅芯片展开过不少讨论，今天则将焦点转向光芯片，这里想给您出个小难题，能否用更通俗的语言，先为大家解释这个光芯片与硅芯片，究竟有何不同？同时，也想请您进一步说明，您所专注的铌酸锂薄膜领域，又与这两类芯片存在怎样的关联？还请您先为我们做个科普。

蔡鑫伦：感谢提问。其实信息领域主要分为两大核心环节，一是信息处理，二是信息传输（也称信息搬运）。

先来说信息处理：我们日常生活中接触到的很多设备，核心都在做这件事。比如手机里的CPU芯片、笔记本电脑中的CPU芯片，以及AI算力卡中的GPU芯片，它们的核心功能都是对信息进行运算与处理。

而信息传输的需求，在当下的技术场景中尤为关键，特别是在AI数据中心里，当前AI 模型的训练模型越来越大，单靠一块GPU根本无法完成所有计算任务，这就需要把多块GPU组合起来，让他们像一个协作的团队一样，共同处理同一个复杂任务。

强度调制器芯片（图源：铌奥光电）

在这个过程中，不同 GPU 之间必须实现高效的信息传递与同步—— 只有让数据快速、准确地在多块 GPU 间流转，整个计算任务才能顺利推进。也正是出于这样的需求，我们需要将设备中的电信号转化为光信号，再通过光纤进行传输。只有这样，才能同时满足信息传输的高速性（保证效率）、低延迟（保证及时性）与高准确性（降低误码率）。

幻实：您方才把价值讲明白了。那么您所专注的铌酸锂光芯片，在整个光芯片体系中具体扮演何种角色？

蔡鑫伦：正如我刚才所提及的，信息搬运是光芯片应用的核心场景之一。当信息搬运面临“大容量”与“高时效性” 的双重需求时，就必须把电信号转换为光信号，借助光纤完成长距离、高速传输之后，再将光信号重新转换为电信号。这一过程中，存在 “电 - 光转换” 与 “光 - 电转换” 两个关键环节。而铌酸锂光芯片的核心作用，正是承担 “电-光转换” 这一关键任务。并且当前行业实践中，越来越多的案例表明，在整个信息传输链路里，“电 - 光转换” 环节已逐渐成为制约传输效率的核心瓶颈 —— 其转换速度、稳定性与能耗表现，直接决定了整个信息搬运链路能否满足大容量、高时效的传输需求。

幻实：当前电 - 光转换的技术难题尚未完全解决，那么光 - 电转换这一环节的问题是否已经得到解决了呢？

蔡鑫伦：在光-电转换环节，与之对应的核心器件是光电探测器。目前行业内普遍认为，相较于电 - 光转换技术，光电探测器的技术难度更低，成熟度的话更高一点。

幻实：那么我们再回到您之前提及的电-光转换环节，这是否正是您所专注的铌酸锂技术的核心优势所在呢？

芯片揭秘 创办人曹幻实（右） 对话

铌奥光电董事长 蔡鑫伦 （左）

蔡鑫伦：铌酸锂应当是目前业内公认性能最优，且发展潜力十分突出的材料平台。我本人长期深耕光电子芯片领域，从攻读硕士学位时便投身于此，至今已有20多年经验。在我们技术从业者看来，铌酸锂堪称一个近乎完美的材料平台，它的能够提供超大带宽，实现电信号到光信号的高速调制，且这种转换过程近乎无失真，额外产生的功耗也远低于现有及以往的各类同类材料。

幻实：确实，铌酸锂材料的优势十分突出。不过，我仍想回到之前的话题向您请教：以往我们谈及光芯片总会聊到硅光和磷化铟，然后现在又有这个铌酸锂，不断涌现的专业术语确实容易让人困惑。那么，在实际应用场景中，硅光、磷化铟与铌酸锂这三者到底什么场景用谁，优劣势又是什么？还请您跟为我们明确界定一下三者的定位与差异，帮大家更好地理解这些高频出现的技术新词。

破解 AI 数据中心传输瓶颈：

铌酸锂如何突破硅光、磷化铟技术局限

蔡鑫伦：我认为可以从光通信技术发展历程来展开分析。在光通信发展的早期阶段，尚未出现如今我们所说的传统数据中心，所谓的传统数据中心指的就是像支撑微信这类应用，用于存储相关数据的基础设施。

我们可以先回溯到更早时代，彼时主流的信息交互方式还是打电话、发邮件，支撑这些功能的核心是电信网络，在电信网络主导的漫长时期里，传统铌酸锂晶体调制器一直是光通信领域的主流技术。

直到传统的数据中心兴起后，情况开始发生变化。随着数据处理需求增长，光芯片、光设备对小型化的要求越来越高，人们逐渐发现，传统铌酸锂调制器体积过大，难以适配小型化的设备需求。正是在这一背景下，以磷化铟为代表的其他技术进入视野，这类技术的核心优势在于能将器件尺寸做的非常小。

因此，在传统数据中心逐步普及的阶段，磷化铟技术慢慢替代了传统磷酸锂材料，成为新的主流。而如今，我们已进入第二代数据中心（也称AI数据中心）时代。这一阶段对通信带宽的要求达到了新的高度，一方面，硅光技术的性能虽不及磷化铟，但它具备强大的集成能力。 在两三年前，打开一个传统光模块，内部往往需要搭载 8 个磷化铟芯片；而现在，仅需一个硅光芯片，就能在其上面集成8个调制器，完全替代前多个磷化铟芯片的功能。

薄膜铌酸锂（图源：铌奥光电）

这种高集成度大幅提升了模块的生产效率，也正是硅光技术能够逐步替代磷化铟的原因之一。另外，在芯片制造方面，硅光可以利用微电子工业的cmos工艺来制造，所以芯片的供应不成问题。而且还具备显著的成本优势 ，一旦达到一定规模，其成本会低于磷化铟芯片。同时，硅光芯片在光模块厂商的装配环节中，操作也更为便捷。不过需要明确的是，若单看单通道的电光转换性能，硅光技术是不如及磷化铟的。而铌酸锂薄膜技术的出现，可视为硅光技术的 “增强版”，它保留了硅光技术的高集成优势，能在单颗芯片上实现 8 个通道的功能。同时，它的电光转换性能是优于磷化铟的，所以它的性能比硅光和磷化铟都要好。

也正因如此，随着AI技术的快速发展，为铌酸锂薄膜技术创造了大规模商用的有利条件。

幻实：那么我能否这样简单概括：首先是硅光技术替代了更早一代的磷化铟技术；而我们当前讨论的铌酸锂技术，性能不仅优于硅光技术，在全面覆盖硅光技术既有性能的基础上，还实现了进一步突破与超越。

蔡鑫伦：更准确的表述是，磷化铟技术会有相当一部分应用场景被硅光技术替代，但并不会被全面替代。未来，那么硅光技术与磷化铟技术将长期共存，然后铌酸锂薄膜技术也会逐步渗透，在特定场景中替换掉部分现有技术。因此从长期发展来看，磷化铟、硅光与铌酸锂薄膜这三种技术，最终会共同出现在光通信的技术体系中，各自依托自身优势服务于不同需求场景。

薄膜铌酸锂芯片技术为信息与通信领域赋能（图源：铌奥光电）

幻实：那么，在未来的市场格局中，您觉得谁的比例会越来越大？实际上，这正是市场各方普遍关注且迫切想了解的未来发展趋势。

蔡鑫伦：我只能基于个人主观愿景给出看法：我希望是三分天下。

幻实：显然，要实现这一目标仍需付出大量努力。基于此，我想向您提出两个问题：其一，我曾听闻铌酸锂材料虽性能出众，但制备难度极高，您创立公司的核心方向，是否就是专门攻克铌酸锂的制备难题？其二，面对这样一项高难度的技术挑战，您当初是出于何种考量，才拥有了直面它的勇气？

蔡鑫伦：其实在工艺制造领域，向来是 “会者不难”。我们是全世界最早研发铌酸锂薄膜的团队之一，在该领域积累了深厚的技术经验，对材料特性与生产制备也有着极为深刻的理解。

当前业界认为的铌酸锂材料所谓的制备难点，比如，刻蚀的质量和均匀性不佳的问题，只要能厘清背后的机制，再联合设备厂商共同研发解决方案，就能攻克难关。生产制造上的难点只是暂时的，一旦有一家实现了突破，全行业看到成熟的解决方案后，必然能逐步达到同等技术水平，这个是毫无疑问的。因此，我并不认为生产制造会成为长期阻碍，在我看来，铌奥当前阶段已能实现稳定制备。

这一过程其实与新能源车的发展路径十分相似：如今新能源车已广泛普及，但在早期阶段，市场对其普遍持怀疑态度。直到使用人群逐渐增多，大家切实感受到它的优势与价值，再加上生产制造体系逐步成熟、成本随之降低，新能源车才得以快速推广 ，既然技术成熟且体验更佳，为何不选择呢？

1.6T/800G ZR Coherent PDMIQ芯片（图源：铌奥光电）

铌酸锂薄膜技术的推广逻辑亦是如此。在我看来，铌酸锂薄膜光芯片没有根本性的技术难题，需要有一个过程让市场和客户能接受它。值得庆幸的是，即便在当前阶段，已有头部厂商愿意与我们合作，共同推动这项技术的产业化落地。

幻实：所以您方才为我们阐述了这样一种预期：从技术原理层面来看，铌酸锂薄膜的制备并非无法攻克的难题，关键在于实现突破。不过我们知道，您是做科研出身，而实验室阶段与工业级生产存在明显差异， 比如实验室中能做出 10 片、100 片样品，但要实现工业化的规模化、稳定化生产，面临的难点是不同的。目前您团队的铌酸锂薄膜芯片，已达到怎样的量产规模？你们遇到过哪些典型的“坑”（即关键挑战）？能否为我们分享这些实践中的经验与突破？

蔡鑫伦：实际上，我们当前最核心的需求是获得市场验证的机会。从技术与生产层面来看，我们内部已完成铌酸锂薄膜芯片制造全流程的打通，且针对生产环节进行了多批次内部验证，具备了量产的条件。目前尚未实现规模化量产，主要还是需要说服客户。

幻实：就是说，铌酸锂薄膜芯片贵公司已经做出来了。

蔡鑫伦：若未来需要推进产能扩建，也就是一个时间问题。例如，只需确定场地，完成设备采购与部署，即可启动扩建流程，目前我们已为后续的产能扩张提前提前做好了必要的准备。

幻实：因此，你们当前核心要寻找的，是愿意和你们并肩前行，共同承担技术落地过程中潜在不确定性的厂商。尽管大家都在面对未知，但这个挑战是很有意义的。

蔡鑫伦：过去五年间，我们很多客户始终与我们并肩投入铌酸锂薄膜技术的研发与验证，这个过程就像共同“炼丹”一样，不断试错优化，对此我对他们始终心怀感激。事实上，我们在这个过程中与客户共同成长，很多技术问题只有在产品进入客户测试环节后才会显现，这本身就是一个与客户、与市场深度互动、持续迭代的复杂过程。

按照当前的研发与产业化进度，我预计到 2026 年，铌酸锂薄膜产品将能在光通信领域实现量产。对于这项技术的落地节奏，我希望它能复刻当年新能源汽车一样，从初步落地到逐步被市场接受，最终进入加速渗透的阶段。

幻实：既然已有其他行业的成功案例可作参考，那我想进一步向您请教：在铌酸锂薄膜的研发过程中，您团队在薄膜生长、工艺参数调节上，或是器件或是器件结构设计等关键环节，是否有进行技术创新？又形成了哪些具备差异化的特色？

蔡鑫伦：首先在设计层面，铌奥已经做到了“能将铌酸锂薄膜芯片做到与硅光芯片的尺寸一样，且性能更优”，这是打破传统认知的一项工作。此前行业普遍认为，铌酸锂薄膜虽性能很好，但尺寸会比硅光芯片要更大。

1.6T DR8/800G DR4芯片（图源：铌奥光电）

不过从去年到今年，我们在这一领域实现了重大突破，我们不仅做到了跟硅光芯片的尺寸面积一样，还在关键性能上全面超越，带宽远优于硅光芯片，半波电压（即驱动电压）也远低于硅光芯片。这种性能上的显著提升，正是源于我们独有的芯片设计方案。

而在生产制造环节，过去五年的技术攻坚，很大程度上得益于铌奥光电是一家中国企业，国内的产业链生态为我们提供了有力支撑，尤其是设备供应商合作伙伴，始终与我们并肩协作，共同攻克了生产过程中的诸多艺难题。

幻实：我刚刚还想向您请教一个问题，在当前铌酸锂薄膜的生产全流程中，是否存在设备或材料被“卡脖子”的情况？比如会不会出现这样的风险 —— 当国外看到中国企业在该领域取得突破后，通过限制相关资源，阻碍我们实现规模化生产？

蔡鑫伦：目前暂时不存在设备或材料被 “卡脖子” 的情况。关于这一点，我可以跟您分享我们的经历，公司成立初期，我们是有点“迷信”海外的设备，但随着内部逐步推进产能扩张，过去的五年间，我们跟很多国内的设备厂商及供应链伙伴展开了深度的合作，并共同攻克了大量生产难题。

在这个过程中，我们深刻意识到，铌酸锂膜作为一项新技术，不存在任何一家企业能直接提供成熟的解决方案，来彻底解决所有生产问题。要推进技术落地，必须与设备厂商协同研发、共同探索。过去五年，中国本土设备厂商的能力提升显著，已能充分满足我们的生产需求。

幻实：关于这个技术，需要用到光刻机吗？

蔡鑫伦：在铌酸锂薄膜光芯片的生产中，光刻机的制程要求并不高，目前来看，最高用到 130 纳米制程就完全能够满足需求。

幻实：也就是说，用于生产铌酸锂薄膜光芯片的光刻机，只需采用很早期的技术就完全够用了，目前这方面的二手设备是有很多的。

蔡鑫伦：您说的没错，我们目前的设备正是从其他企业的生产线上面淘汰下来的，但是用的非常好。

铌奥和中山大学研制的薄膜铌酸锂IQ调制器（图源：铌奥光电）

幻实：有业内从事光刻机翻新的人士曾跟我开玩笑，说这台设备的使用寿命可以用到送你走，岁数可以比你还大。也正因如此，铌酸锂薄膜产品，我们基本上不会在工艺制备或者生产环节上担心会被制约，那这个也是挺好的事。那下一个问题就是成本了，毕竟硅光的价格大家也都知道。当前铌酸锂要比硅光贵多少？您如何看待二者的成本差异？您之前提到新能源车的推广路径，我很认同 。但新能源车过去几年经历了 “价格血海”，实现了成本的大幅下降。那么铌酸锂薄膜芯片是否也存在类似的成本下降空间？您是否有信心在未来让其成本低于硅光芯片？想听听您对这一问题的判断与规划。

蔡鑫伦：我们对铌酸锂薄膜芯片未来在成本上具备竞争力，抱有十足的信心。要实现这一目标，需从技术特性与产业链协同两方面入手，核心逻辑可梳理如下：首先要客观看待硅光芯片的成本优势，它是基于微电子行业已成熟的产线，许多生产线本身就在量产模拟芯片等微电子产品，只需挪用其中一小部分产能，就可以生产硅光芯片，这就是它的价格优势所在。

但从成本构成的本质来看，芯片制造的成本主要分为两部分：一是以晶圆为核心的材料成本，二是包含设备折旧摊销、人工、制造费用在内的制造成本。

3.2T DR8芯片（图源：铌奥光电）

铌酸锂的折射率比硅更低， 成熟的130nm制程就完全够用，这直接带来两个成本优势：一是整条生产线的设备成本投入更低。二是所需光刻版的数量也少于硅光芯片的CMOS 工艺，这会显著降低制造成本。

因此，铌酸锂薄膜芯片的制造成本一定是比硅光芯片要低的。那么现在问题就在于晶圆成本。我们的上游供应商已明确表态，只要晶圆的用量达到一定规模，铌酸锂薄膜晶圆成本是可以降到与硅光晶圆相当的水平。

幻实：这种成本优化的需求会向上游应链传递，推动产业链各环节共同发力控制成本。也正因为如此，可以向潜在的客户传递一个明确且坚定的信心，铌酸锂薄膜芯片的成本必然会下降，只要客户能带来规模化订单，完全可以围绕成本与合作细节展开进一步沟通，最终实现互利共赢。

蔡鑫伦：当前来看，从今年到明年上半年，对铌奥光电是一个关键的转型期，对整个铌酸锂薄膜赛道来说，也是推进商业化落地的重要窗口期。这一阶段我们需要重点推进两方面工作：一方面，在市场与客户端，要让客户充分认识到这个技术的价值，同时建立客户对产品的全面信心，包括认可其优异性能与高可靠性。相信量产能力无虞，并且确信未来成本会达到可接受范围。另一方面，在产业链上游端，要与供应商构建深度协同的产业链联盟，实现同进退、共发展。

幻实：其实大家都在摸索，去“赌”，去“押”一个未来。

蔡鑫伦：这些企业都愿意为铌酸锂薄膜行业的未来发展，投入资源、承担风险，共同推动技术落地与产业成熟。这并不是去“赌”，而是经过充分分析后，对行业前景与技术价值形成明确信心，进而采取的行动。

国产产业链协同：

铌酸锂赛道国际化竞争

幻实：我刚才所说的“押”，是指他们为了心中坚信的行业前景，愿意押上当前的全部资源与时间全力以赴，这种决心与行动力非常振奋人心。不过我也想提出一个现实问题，就是您提到国内铌酸锂薄膜领域起步时间不久，那海外在该领域的发展情况怎么样？具体来说，海外企业在铌酸锂薄膜技术上的领先程度有多少？如果未来我们参与国际竞争、推动产品出口，又具备哪些核心优势呢？

蔡鑫伦：刚才我们探讨了铌酸锂薄膜技术对铌奥光电的发展机遇，以及对整个赛道的价值，除此之外，还需关注它对中国光通信产业的重大意义——铌酸锂薄膜有可能成为中国光通信发展历史上，首个从材料、芯片、器件到终端应用的全产业链环节，在部分领域实现对国外的领跑，其余领域也至少能与国外保持并跑的产业突破。

江苏铌奥光电科技有限公司logo（图源：铌奥光电）

幻实：在产业发展初期阶段就能实现领跑，这种情况在我国光通信乃至整个高科技产业发展历程中都十分罕见，是非常难得的突破。

蔡鑫伦：铌酸锂薄膜材料的商用化突破，最初由济南晶正实现。济南晶正的创始人，从欧洲回国后率先做出来可以商用的铌酸锂薄膜晶圆。国内还有众多的初创企业在从事这方面的工作，比如上海新硅聚合，青禾晶圆等，都可以提供高质量的光学级晶圆。

铌奥光电技术来源，源自我和合作者在2019年完成的一项科研工作，这个工作是把铌酸锂薄膜集成到硅光芯片上，以提升硅光芯片的调制性能。几乎在同一时期，美国哈佛大学Loncar教授的团队也在该领域取得重要成果，他们的工作是用薄膜铌酸锂来实现高性能电光调制。

在我们与哈佛团队的这两项关键研究成果发布之前，业界对铌酸锂薄膜的研究虽有零星开展，但始终处于小众范畴；而这两项成果发布后，该领域迅速成为行业热点。这一领域的爆发，一方面源于铌酸锂薄膜本身是是行业多年来渴望突破的理想材料。另一方面则得益于数据中心与AI技术的快速发展，对调制器性能提出了更高要求。我之所以梳理这些技术发展历程，正是为了说明，在铌酸锂薄膜从材料研发到芯片制备的全链条中，中国在基础研究层面并不落后于国外。也正因如此，我们有绝对的信心，在该领域的国际竞争中实现引领。

幻实：听完您的分享，我感到非常振奋，甚至热血澎湃。这些案例充分证明了我们在铌酸锂薄膜赛道上的持续投入是极具价值的，也让我越发清晰地看到，中国在该领域的战略布局足够坚定。反观欧洲，或许有领先的技术构想，但缺乏将其转化为产业成果的实力，也没有形成持续推进的人才与资源接力。基于此，我还想向您请教最后几个问题：您创办铌奥光电后，希望带领公司走向怎样的发展方向？您的商业信仰是什么？在当前光芯片产业浪潮中，您如何定位铌奥光电的行业站位与核心价值？能否再和我们分享一下您创业至今的心路历程与关键思考？

薄膜铌酸锂专用设备EO发射器（图源：铌奥光电）

蔡鑫伦：铌奥光电是2019年底开始筹备， 2020年公司成立的。在此之前，从英国读书回国后，我去了学术界，而我的师弟去了产业界且认识了一些企业家朋友，2019年我们的技术成果发布后，正是他们说服我来创业的。现在回想起来，在创业初期，我对产品开发、企业运营一窍不通。好在铌奥光电拥有一支非常出色的团队，汇聚了众多专业人才共同推进这项事业，才让我们走到了今天。

到了当前阶段，我们目标非常明确：必须推动铌酸锂薄膜的产业化落地并取得成功。我们做了较大规模的投资，在短时间内建成了一条6英寸的铌酸锂薄膜芯片专用制造线。在新技术落地的早期，一条自主可控的制造线，可以让设计、工艺和制造团队一起来协同解决无数细微却关键的问题，价值非常大。这也是铌奥光电现阶段在行业内处于领先地位的原因之一。

幻实：因此，IDM模式（垂直整合制造模式）是更适配铌酸锂薄膜的产业化发展需求。

蔡鑫伦：铌奥光电现阶段采用IDM 模式目标是快速推动铌酸锂薄膜行业走向成熟。我们也在为下一步跟成熟代工厂合作做准备了。今年9月深圳光博会，我们有两项重要发布，一是自主工厂生产的6英寸芯片晶圆，二是8英寸芯片晶圆。其中8英寸晶圆并非产自我们自有产线，而是来自于成熟的代工厂。我们大概花了两个月时间就在合作的代工厂里搞定了八英寸晶圆的制造，原因就是我们在自有的6英寸产线上积累了充足技术与经验。这些将为铌酸锂薄膜芯片的大规模制造打下良好的基础，对此，我们充满信心。

幻实：感谢蔡总为我们分享了诸多背后的发展历程。事实证明，拥有一条自主可控的一个实验线，能有效加速产业的革新，让行业清晰看到技术解决实际问题的路径与效率；而若在早期采用委外模式，则必然面临更多不确定性。作为该领域，“第一个吃螃蟹的人”铌奥光电无疑比同行付出了更多艰辛。今天能与您深入交流，非常开心，在此祝愿铌奥光电在光芯片产业浪潮中，顺利实现您最初的发展目标，成长为行业内持续引领的标杆企业。