超级周期来了，存储芯片A股亢奋中蕉绿

21世纪经济报道记者 彭新

存储芯片业，风云多变。

10月9日，有投资者收到东方财富证券通知称，当日起，账户持有的佰维存储（688525.SH）的两融折算率由0.50调整为0.00，原因是该公司的静态市盈率超过300倍。

所谓两融折算率，是指股票可用作融资融券保证金的比例，当折算率降为0时，意味着投资者无法再以该股票作为抵押融资。诸多机构同期亦公告表示，依据交易所规则，将市盈率超300倍或为负的A股股票折算率统一调整为0，其中也包括佰维存储。

这一事件引发投资者关注后，10月10日，佰维存储股价开盘跳水，至当日A股收盘，股价报96.50元，跌9.59%。近三个月以来，佰维存储股价涨幅达61.96%，并创下历史新高。同期，A股存储芯片概念股反复活跃，香农芯创(300475.SZ)、江波龙(301308.SZ)、兆易创新(603986.SH)股价创新高，通富微电(002156.SZ)、深科技(000021.SZ)、德明利(001309.SZ)等涨势明显。

另一方面，过去半年，全球存储芯片价格也是“涨声一片”。

CFM闪存市场发布的《2025年四季度存储市场展望》显示，预计四季度，企业级SSD（eSSD）价格涨幅将达到10%以上，DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%。另据TrendForce集邦咨询9月29日发布的数据，DRAM（DDR4 8Gb）的平均现货价格上月达到5.868美元，创年内高位；较一季度1美元低位上涨约4.9倍，至约5.87美元。集邦咨询进一步指出，主流DRAM（DDR5 16Gb）的平均现货价格达6.927美元，较年初的4.70美元上涨40%以上，正逼近2018年半导体景气高峰期的7.19~8.19美元区间。在供应趋紧背景下，多类DRAM产品预计四季度仍将继续涨价。

超级周期引爆

近一个月，存储涨价消息更为密集，现货价格快速上行。资本市场亦直接反馈，多家厂商股价持续刷新阶段高位。美光与西部数据等存储股显著走强。

Yole Group最新《2025年存储行业现状报告》显示，全球存储收入2024年达1700亿美元，2025年有望再增18%至2000亿美元。AI手机、AIPC、AI服务器成为拉动需求的三大主要动力，其中AI服务器最受瞩目：大模型训练/推理对内存带宽需求暴涨，eSSD、服务器DRAM与HBM（高带宽内存）构成“标配”。尤其是HBM，以3D堆叠带来远超传统内存的带宽，成为本轮周期的“锚”。

HBM供不应求的市况从头部厂商的对外披露可见端倪。美光首席商务官Sumit Sadana在股东会上表示，该公司2025年HBM产能已售罄，并正与客户就2026年供应展开谈判。

10月1日，OpenAI宣布，韩国两大存储厂商三星电子、SK海力士将共同参与OpenAI的“星际之门”计划。其中三星电子和SK海力士计划扩大先进存储芯片产能，目标实现每月90万片DRAM（动态随机存取存储器）晶圆产能，为OpenAI的AI模型提供数据存储支持。

对于该合作，三星电子称，公司计划支持正在进行星际之门项目的OpenAI，以便其能够顺利获得高性能、低功耗的内存。SK海力士则称，将作为HBM供应合作伙伴参与了星际之门项目。

随着该合作的宣布，以及近期持续的AI相关利好，10月10日三星电子和SK海力士股价双双创下历史新高，SK海力士股价当日一度大涨超过11%，三星电子涨幅也超过6%。

值得注意的是，除HBM外，由“三大存储厂”主导的DRAM与NAND业务亦迎来强劲周期，供应趋紧抬升价格预期，传统存储同样出现是否迎来超级周期的讨论。

不一样的周期

过去二十年，存储景气与消费电子出货量高度绑定，呈现典型“3~5年”的“库存—扩产—过剩—下行”强周期属性。AI的崛起改变了游戏规则：大模型训练/推理对带宽的需求成为瓶颈，带宽而非容量正决定系统性能。英伟达多次强调，难点在于如何足够快地“喂数据”；这直接推高了对HBM的持续需求。

驱动力也从分散的消费端转向集中度更高、确定性更强的企业级资本开支。微软、谷歌、Meta及新晋AI公司掀起的“算力军备竞赛”提供了更强的订单刚性。因此，市场普遍认为，本轮并非简单的库存修复，而是由技术范式转移驱动的多年度结构性增长。

同时，产能正向计算卡/服务器等高附加值方向倾斜，DDR4等传统品类的供给被边缘化，而PC、部分工业设备仍有稳定需求，短期供需出现结构性失衡，推动价格上行。摩根士丹利在2025年10月6日发布的研报称，传统存储的繁荣期强于预期且可能更持久，涨价信号明确，紧张态势预计将持续至2026年，其影响正传导至DDR4、DDR3、NOR Flash等旧款产品。

风口上的挑战机遇

全球“超级周期”同样驱动中国市场，机遇与挑战并存。

机遇在于，全球性的供应紧张和价格上涨，为国产存储芯片创造了前所未有的导入窗口。出于供应链安全与成本控制的双重考量，目前，国内终端厂商正加速对长江存储的NAND芯片和长鑫存储的DRAM芯片的验证与采购。

资本市场对此反应迅速。长鑫存储已明确踏上A股科创板的IPO征程，证监会官网披露最新信息显示，长鑫科技集团股份有限公司已正式发布IPO辅导工作完成报告。其若成功上市，无疑将成为国产存储芯片领域有一大重要事件，募集的巨额资金将为其技术研发和产能扩张提供强大动力，并有望带动整个国产存储产业链价值重估。

然而，挑战同样严峻。在本轮周期的价值皇冠——HBM，中国厂商与SK海力士、三星等国际巨头存在明显的技术代差。

目前，HBM制造不仅依赖于先进的DRAM堆叠技术，更与台积电的CoWoS等先进封装工艺深度绑定。在地缘政治与技术封锁背景下，中国企业想要在短期内突破HBM产业链的全部环节，难度极大。

对应到A股投资环节，存储芯片领域的投资逻辑正从单一厂商扩展至全链条：中下游方面，内存主控与模组厂（如佰维存储、江波龙）对涨价与紧缺最为敏感；设计/制造端，A股龙头兆易创新等的盈利能力有望随景气度修复。上游设备与材料的相关公司确定性更强，无论本土存储的最终份额如何，扩产与国产化率提升将直接转化为设备与材料需求。北方华创（002371.SZ）、中微公司(688012.SH)等国产设备龙头有望受益于本轮替代浪潮。