挑战英伟达！国产芯片发现新路径，2年就能大规模商用

导读：挑战英伟达！国产芯片发现新路径，2年就能大规模商用

算力的天花板，终于要被打破了？

近日，存储芯片价格陡然上扬，DDR4、LPDDR4X等产品较年初涨幅近达50%，推动芯片交易型开放式指数基金（ETF）单日涨幅达3.58%，资本市场呈现出一片活跃景象。

从表面来看，这是供需关系失衡所导致的结果。一方面，AI大模型对存储的需求如汹涌洪水般急剧增长；另一方面，存储芯片原厂仍在实施减产策略，致使供给难以与需求相匹配，价格自然随之大幅攀升。然而，若将这种价格上涨简单地视为普通的价格波动，无疑是对其影响的轻描淡写。

真正令市场高度紧张的是，单纯依赖GPU堆叠的发展模式已然走到尽头。GPU犹如一座高速运转的工厂，但若数据无法及时输入，或者存储空间不足，即便拥有再先进的设备，也只能陷入停工等待的困境。这种“存储墙”问题，已成为整个行业共同面临的严峻挑战。

即便像英伟达这样的行业巨头，也不得不从架构层面探寻新的解决方案。英伟达一方面采用将光模块与芯片直接封装在一起的方式，以降低数据传输损耗；另一方面大规模应用HBM高带宽存储技术，以追求更快的数据传输速度，同时积极尝试近存计算技术，使数据处理尽可能在存储设备附近完成。

但问题在于，美国早早就将先进工艺和高端技术列入“实体清单”，不仅通过一纸禁令切断了相关产品的出口渠道，即便有部分产品勉强流入市场，大多也是经过阉割的版本，性能大幅降低。在高带宽存储芯片领域，更是被三星和SK海力士牢牢掌控，二者产能占比高达90%，且价格往往是普通内存的5倍之多。

正因如此，我们已无其他选择。然而，也正是在这种外部压力的逼迫之下，国内高校与企业在多个领域齐头并进，奋力探索出了一系列全新的解决方案。

清华大学与复旦大学的科研团队率先成功研制出近存计算原型芯片，其能耗较传统芯片直接降低一半以上；长鑫存储的HBM样品已进入客户验证阶段，性能直逼国际先进水平；清华大学团队研发的忆阻器芯片在图像识别方面，能效比传统GPU高出数十倍。曾经被视为难以跨越的技术障碍，如今正被我们逐一攻克，这无疑是最为有力的回应。

当前，自研自强的浪潮已在全行业范围内蓬勃兴起，国内众多企业积极投身创新实践，努力突破“卡脖子”技术瓶颈。如今，国产芯片领域已有众多企业积极开展战略布局。更为关键的是，我们不再是零星的单点突破，而是逐步构建起了涵盖设计、制造到应用的完整产业链条。

华为在昇腾、鲲鹏领域持续投入研发资源，中芯国际与华虹在制程工艺方面稳步推进技术革新，长鑫存储和壁仞科技在存储与算力领域加速探索创新路径，多方力量正共同推动国产解决方案走向成熟。诚如华为董事长徐直军所言：“最多2年，即可实现大规模商用。” 这并非空洞的口号，而是整个产业上下游协同合作、凝聚合力所赋予的充足底气。

与此同时，国内大型企业也以实际行动表明了自身态度。字节跳动和阿里巴巴已停止相关产品测试，并取消了英伟达专为中国市场定制的RTX Pro 6000D订单。对于那些经过性能阉割的产品，我们毅然决然地选择摒弃，而非一味妥协退让。

尽管未来或许仍充满诸多挑战，但可以明确的是，任何形式的封锁都无法真正阻挡中国人追求突破与发展的坚定步伐。