友硕：以精密测量技术，服务中国半导体产业创新

昆山友硕新材料有限公司(简称“友硕”)成立于2005年,深耕工业检测和半导体领域20年,构建起“‌高端设备代理+自主技术研发+行业场景化服务‌”三位一体的业务模式,致力于成为‌半导体制造与封装环节关键设备与零部件的综合服务商‌。

“友硕:精密丈量未来,智造赋能芯时代!”

友硕专注半导体前道与后道设备及服务解决方案

一、前道制程设备

前道制程设备是半导体制造的核心,覆盖晶圆加工的全流程,其技术精度直接决定芯片性能与良率。

高精度三坐标测量机:用于晶圆几何形貌检测与掩膜版校准,通过纳米级测量确保电路图案的精确转印,减少光刻过程中的偏移误差。

工业CT和扫描电镜(SEM):贯穿前道工艺、封装及失效分析环节。工业CT通过三维成像检测内部结构缺陷,而扫描电镜则提供高分辨率表面形貌分析,尤其适用于纳米级线宽检测和故障定位。

关键尺寸与薄膜量测设备:前道工艺(FEOL)中,关键尺寸量测(CD-SEM)实时监控光刻图案的线宽和边缘粗糙度,确保光刻精度;薄膜量测设备通过光学或电子束技术检测沉积薄膜的厚度、折射率和均匀性,保障器件电学性能。

PVD镀膜设备:属于薄膜沉积关键设备,通过物理气相沉积技术在晶圆表面形成金属层(如铜、铝),用于互连线路制作。其真空系统与等离子源协同工作,确保薄膜附着力与低电阻率。

涂胶显影设备:在光刻工艺中完成光刻胶的旋涂、烘烤与显影,其精度影响图案转印质量。先进机型支持多层胶处理与EUV光刻胶适配,适应先进制程需求。

刻蚀设备:采用干法刻蚀(ICP/CCP)为主,通过等离子体选择性去除材料,将光刻图案转移到晶圆表面。刻蚀设备需控制各向异性刻蚀比例,避免侧壁损伤。

清洗设备:湿法清洗(化学药液)与干法清洗(等离子体)结合,去除颗粒、金属污染物及抛光残留,确保每道工艺前的晶圆表面洁净度。

二、后道封装设备

后道封装设备聚焦芯片保护、互联与测试,直接影响器件可靠性及集成密度。

静电卡盘(ESC)及静电吸附解决方案:通过静电场固定晶圆,避免机械接触损伤,适用于高温工艺(如退火、键合)和精密传输场景。其设计需适配多种晶圆材质与厚度,支持高真空环境。

封装专用除气泡烤箱:在塑封固化过程中,通过可控温度与压力循环消除环氧树脂中的气泡,防止封装层空洞导致的散热不良或机械失效。设备需集成多段温控模块,确保固化均匀性。

先进贴片与互联设备:包括高精度倒装贴片机、晶圆级封装贴片机等,支持2.5D/3D封装和Chiplet集成。例如,新一代贴片机可实现±2μm精度,支持超大芯片(100mm×100mm)正反贴装,并具备焊头加热功能以强化键合强度。

三、零部件与耗材

半导体设备依赖高精度零部件与耗材,其性能决定设备寿命与工艺稳定性。

核心耗材国产化:针对美国应用材料、Lam Research等设备商的耗材(如离子源、研磨垫、真空泵组件),推出国产替代方案,包括光刻机专用线束、高压电源、匀胶机胶盘等。这些产品经头部晶圆厂验证,性能匹配国际标准,缓解供应链风险。

石英部件与材料:大口径石英管、石英舟等用于氧化、扩散工艺的反应腔室,需满足高纯度、耐高温与低热膨胀系数要求。国产化生产基地已实现12英寸石英部件量产,降低对进口依赖。

四、化合物半导体晶圆流片与工艺开发

集团公司苏州森晖半导体有限公司提供化合物半导体(如SiC、GaN、InP、GaAs)的全流程服务,覆盖材料制备、芯片制造与封装测试。

外延片生产:通过MOCVD/MBE技术生长单晶外延层,控制厚度与掺杂浓度,满足功率器件与射频芯片需求。

晶圆制造与先进封装:包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺,以及晶圆减薄、激光划片等后道处理。专项服务团队为客户定制化开发工艺参数,确保高频、高功率器件的性能与可靠性。

测试与认证:提供电学特性测试、高温老化试验及失效分析,输出符合行业标准的认证报告,加速产品量产导入。

‌产业链协同合作‌:

友硕与国内半导体设备厂商联合开发国产化替代方案,降低客户供应链风险;

友硕积极拓展与高校、科研院所的技术合作,建立检测与封装工艺联合实验室。

友硕的全球化‌服务网络‌:

友硕在在长三角、珠三角设立区域技术服务中心,提供24小时响应支持;

探索东南亚市场,为海外封测厂提供设备与耗材一站式采购。