高盛：中国光刻机落后20年！

　　国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！

　　9月2日消息，据高盛最新发布的报告，他们认为中国的国产光刻机只能生产65nm工艺的芯片，相比国际巨头ASML落后足足有大约20年！

　　高盛称，虽然中国已经可以生产7nm工艺芯片，但极有可能还是利用了ASML比较老旧的DUV深紫外光刻机，因为中国还不具备制造这种设备的能力，更别提ASML已经发展了两代EUV极紫外光刻机。

　　目前，ASML最新的High-NA EUV光刻机已经开始交付给Intel、台积电、三星，对于1.4nm以下的工艺至关重要。

　　它重达180吨，体积如同双层巴士，堪称全球最昂贵的半导体制造设备，同时也是最贵的，单台价格估计超过4亿美元。

　　高盛还指出，ASML光刻机从65nm发展到3nm及以下，用了长达20年的时间，投入了400亿美元的研发与资本费用。

　　因此高盛认为，综合考虑中国当前的半导体技术水平、先进工艺研发的巨大投入、全球产业链的复杂性、高风险的地缘因素，中国国产光刻机不可能在短期内追上西方先进水平。

　　可能很多人不太清楚，现在大规模生产芯片，基本上都是靠光刻工艺。而光刻机可以说是整个生产线里最核心的设备，它的成本大概占所有设备总成本的30%左右。其他很多设备，其实都是围绕着光刻机来配合工作的。

　　全球的光刻机市场，基本上被ASML一家公司垄断了，市场份额超过80%。尤其是最先进的EUV光刻机，ASML几乎是独家供货，市场份额达到了100%。就连比较高端的浸润式DUV光刻机，ASML也占据了95%以上的份额。

　　另外，光刻机和芯片的制程工艺是直接对应的。比如说，ArFi这种浸润式DUV光刻机，一般用来做65纳米左右的芯片；而EUV光刻机则用于7纳米及以下的先进制程芯片制造。

　　现在国内公开的光刻机，还是那种叫ArF的，用来做90纳米工艺的芯片，跟ASML比起来，确实差了至少20年，甚至更多。

　　当然也有人觉得，那些没公开的技术可能更厉害。不过不管有没有公开，目前咱们连浸润式的DUV光刻机都没有，更别说EUV这种顶级的光刻机了，那就更别提了。

　　相比之下，其他半导体设备方面，我们其实已经有不少突破了，在很多领域都比90纳米的光刻机技术还要先进。