首尔大教授SCI发文750篇，专利227项，斩获2025年“韩国最高科学技术奖”

韩国科学技术信息通信部与韩国科学技术团体总联合会于7月3日联合宣布，授予首尔大学材料工学系黄喆成（황철성，音译）讲座教授2025年“大韩民国最高科学技术奖”。

“大韩民国最高科学技术奖”是韩国国内最具权威的科学技术奖项，自2003年设立以来，旨在表彰在代表性科研成果方面取得卓越成就的科技人员，提升其社会荣誉与自豪感。截至去年，该奖项已授予47名顶尖科学家。

本届评选自去年年底启动，经过公开征集、专家推荐等流程，历经专业评审、领域评审和综合评审三个阶段，最终从众多候选人中选出1位获奖者。评审不仅看重研发成果，还综合考量对韩国经济发展、民生改善等方面的贡献。

黄喆成教授在传统DRAM、NAND闪存等存储器半导体基础上，积极拓展新型器件与材料的研究领域，尤其在“电阻式开关材料与器件”方向做出开创性贡献，为韩国半导体产业的发展注入了关键动力。

他与研究团队通过合作，首次在“铂/二氧化钛/铂结构”（Pt/TiO₂/Pt）系统中直接观察到了纳米细丝的行为，成功揭示了电阻变化型存储器的转换机制是由“马格内利相”（Magnéli phase）钛氧化物（TiₙO₂ₙ₋₁）细丝的生成与崩解引发的。这项研究于2010年发表在《自然·纳米技术》（Nature Nanotechnology）期刊上，截至目前已被引用超过2450次，是该领域引用频次排名前五的经典文献之一。

此外，黄教授已发表SCI论文750篇，申请国内外专利227项（其中已注册85项），完成技术转让16项，在推动半导体学术研究与产学合作方面成效显著。

近年，他还投身于模拟人脑运行机制的“神经形态半导体”（Neuromorphic Semiconductor）开发研究，致力于下一代可持续半导体技术的探索，备受业界关注。

黄教授本科、硕士及博士均毕业于首尔大学无机材料工程系，曾任三星电子半导体研究所高级研究员，自1998年起任教于首尔大学材料工学部，至今已培养出65位硕士、100位博士，为韩国未来半导体人才培养作出重要贡献。

据悉，科学技术信息通信部于7月9日在韩国科学技术会馆举办的“世界海外韩人科学技术人大会”开幕式上，向黄教授颁发总统奖状及3亿韩元奖金（约合人民币158万元）。

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