北京
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，成都微光集电科技有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制作方法、成像系统”的专利，公开号CN120512937A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种图像传感器及其制作方法、成像系统，包括准备衬底；向衬底注入碳氢磷离子簇，在衬底中形成第一吸杂扩散屏障层；在衬底的上表面生长外延结构，并激活第一吸杂扩散屏障层中的离子，形成团簇，所述团簇包括由碳离子和间隙硅簇形成的团簇以及磷离子和间隙硅簇形成的团簇；外延结构至少包括一层外延层。第一吸杂扩散屏障层中的团簇不仅可以起到阻挡的效果，防止衬底硅中的氧杂质扩散到器件有源区，还可以作为金属吸杂中心，吸附衬底中的金属杂质以及工艺中引入的金属杂质，使白点减少，提升图像传感器的成像质量。氢离子经过热处理后向外扩散，降低界面态密度，减少图像传感器中白点的数量。
天眼查资料显示，成都微光集电科技有限公司，成立于2014年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3363.1655万人民币。通过天眼查大数据分析，成都微光集电科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息588条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
