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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种BCD器件制造方法”的专利，公开号CN120500115A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请公开了一种BCD器件制造方法，包括：提供SOI晶圆，所述SOI晶圆由下至上依次包括衬底层、埋氧层和顶层硅；采用光刻和刻蚀工艺，在所述SOI晶圆中定义出TVS器件区域和主器件区域，位于所述TVS器件区域的所述顶层硅和埋氧层被去除、衬底层露出；进行后续工艺，以在所述TVS器件区域中形成TVS器件，并在所述主器件区域形成BCD器件。
本文源自：金融界
作者：情报员
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