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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包含沟槽支撑桥结构的三维存储器设备及其制造方法”的专利，公开号CN120419304A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种存储器设备包括：层堆叠，每个层堆叠包括相应的绝缘层和相应的导电层的相应交替堆叠以及相应的接触级介电层；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠中的相应交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中的相应存储器开口中并且包括存储器元件的相应竖直堆叠和相应的竖直半导体沟道；和介电桥结构，该介电桥结构位于横向分隔该层堆叠的存取沟槽内。该介电桥结构中的每个介电桥结构包括相应的一对波状侧壁。该介电桥结构的每个波状侧壁包括由竖直延伸的边缘邻接的至少两个竖直平直且水平凸起的表面段。存取沟槽填充结构位于该存取沟槽中，并且每个存取沟槽填充结构嵌入该介电桥结构的相应子组。
本文源自：金融界
作者：情报员
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