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材料中的缺陷以多种形式共存,并经历动态转化,从而影响材料性能。然而,目前对这些动态转化的全面理解仍然有限,这阻碍了缺陷状态控制的进展。传统表征方法聚焦于宏观性质,但无法区分特定缺陷对材料功能的贡献。此外,现有技术通常仅量化缺陷浓度,而忽略了缺陷质量,将缺陷简单归类为“多”或“少”,忽视了缺陷质量对材料性能的影响。
本研究韩国能源技术研究院Hee-Eun Song和Ka-Hyun Kim等人通过双相电容瞬态(C(t))分解,探究了硅异质结(SHJ)中与钝化相关的缺陷动态转化。结果显示,SHJ的C(t)响应呈现双相特性,揭示了两种不同的钝化相关缺陷构型。研究表明,钝化质量不仅取决于缺陷浓度,还与缺陷的键合构型密切相关。这些构型会随着沉积条件、层堆叠顺序和热退火过程演化为更深或更浅的能级缺陷,最终影响材料整体性能。本研究将缺陷转化与钝化质量联系起来,为半导体器件中的缺陷控制提供了新见解。
此外,双相C(t)分解技术的应用范围还涵盖钙钛矿和叠层太阳能电池、发光二极管、光电探测器以及金属-氧化物-半导体器件,展现了其在提升器件性能方面的潜力。
文章亮点
双相缺陷动态解析:首次通过双相电容瞬态分解技术,揭示了硅异质结中钝化相关缺陷的两种构型(慢相Pslow和快相Pfast),分别对应悬挂键(DBs)和弱Si-Si键,为缺陷控制提供了新视角。
热退火诱导缺陷转化:研究发现,热退火并非直接消除缺陷,而是将深能级缺陷(如DBs)转化为浅能级缺陷(如弱Si-Si键),从而降低其对器件性能的负面影响。
工业应用潜力:该技术可推广至钙钛矿/硅叠层电池、LED等光电器件,为复杂异质结构中的缺陷分析提供了通用工具,助力高效器件的开发与优化。
D. H. Kim, J.-H. Oh, T. K. Lee, Y. Kim, J.-H. An, S. W. Sim, Y.-T. Han, J. Y. Lee, M. Kim, K. Im, Y.-J. Kim, U. Kim, K. T. Jeong, M. G. Kang, S. H. Lee, Y. Cho, H.-E. Song, K.-H. Kim, Unraveling Mixed-Defect Transformations and Passivation Dynamics in Silicon Heterojunction Solar Cells. Adv. Funct. Mater. 2025, e08814.
https://doi.org/10.1002/adfm.202508814
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