存储大厂业绩新高背后：需求分化，竞争加剧

21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道

存储产业的分化态势正在加剧。

近日，头部存储原厂SK海力士和美光相继发布财报显示，过去的一个财季内，公司业绩再创新高。这背后是受益于AI快速发展背景下，全球对HBM（高带宽内存）的需求高涨；但另一方面，多个消费类终端市场仅仅恢复到正常库存水位，导致NAND（闪存）市场整体并没有足够支撑力。

HBM市场的快速演化，正在影响全球存储巨头的产业格局，有消息指出，除了传统数据中心之外，手机巨头也在考虑引入HBM存储产品，这无疑将给该市场带来更大市场空间。

但作为存储厂商拉动业绩的核心，HBM正面临发展变数。有分析指出，HBM市场可能在未来两年出现增速变数，全球贸易市场动荡，也可能为HBM市场需求蒙上一层阴影。

存储巨头的业绩显露出不同终端市场的当前消费情绪，这背后，也潜藏着供应链和整体终端市场的技术比拼。

HBM竞速

HBM正成为当下存储行业竞争的核心。SK海力士更是凭借将旗下产品率先打入英伟达供应链，终于超越三星成为存储行业第一。

第三方机构闪存市场统计显示，在2025年一季度，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十多年的市场统治地位，以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM（内存）市场第一。

瑞银集团分析认为，按照对DRAM整体市场的收入贡献看，HBM在其中占比将从2023年的6%增长到2026年预计达38.3%。从海外三巨头的具体份额看，SK海力士在2023年贡献了整体HBM市场的60%位元数（bit），预计到2026年，SK海力士的份额将为50%，三星和美光预计分别占24%和27%。

近期的财报中，HBM也是出现次数最多的关键词之一。

7月24日举行的业绩交流会期间，SK海力士方面披露，已经在今年3月开始向客户提供全球首批HBM4样品，与合作伙伴协同进行性能优化。公司将维持HBM销量同比翻倍的计划。为此，今年还将先发制人，进行部分投资。

SK海力士总裁兼企业中心负责人Song Hyun Jong表示，公司在DRAM领域扩大了12英寸HBM3E的销量，同时所有应用领域的NAND闪存销量均实现增长。他还指出，SK海力士将在今年提前实施部分计划投资，以确保顺利供应HBM等明年需求明显的主力产品。

6月末发布2025财年第三财季(自然年为2025年3-5月)业绩时，美光科技董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光第三财季营收创历史新高，这得益于DRAM营收达到历史最高水平，其中HBM营收环比增长近50%。数据中心营收同比增长超一倍，达到季度历史新高，面向消费者的终端市场环比也实现强劲增长。

Sanjay Mehrotra介绍，美光在HBM产能提升和产品开发路线图方面进展顺利。在HBM3E 12H上的良率和量产爬坡进展极为顺利，预计在第四财季实现出货量突破。

公司预计在2025年下半年（自然年），在HBM市场的份额将达到与整体DRAM市场份额相近的水平。据透露，美光正向GPU和ASIC芯片市场的四家公司，供应HBM产品。

此外，美光已向多家客户交付HBM4样品，预计将于2026自然年按客户计划扩大量产规模。

除数据中心之外，更多终端类市场也开始盯上了HBM带来的成效，探索将其落地。

近日有市场消息称，有手机巨头正在考虑将HBM应用在手机上。当然考虑到HBM本身的高带宽特性，要应用到手机层面，显然也更考验终端厂商联调SoC等核心芯片的能力，以此优化其散热、能耗等表现。

一名存储行业资深从业者则对21世纪经济报道记者指出，考虑到AI在电动车领域会有更大发展空间，预计对HBM也会有落地需求。“电动车就类似有四个轮子的服务器，数据处理方式会更类似数据中心。所以我认为，目前在数据中心大量应用的HBM，下一步会进入电动车中，因为电池容量大、可以承载更大功耗、散热好。”

这都凸显出，作为DRAM市场的重要业绩支点，对HBM的需求热潮仍将持续。只是从结构性角度看，HBM不同代际产品本身可能面临差异化表现。

TrendForce集邦咨询分析师许家源就对21世纪经济报道记者指出，展望2026年,HBM3e价格预计低于2025年, 主要原因是三星预计将在2025年下半年间完成与英伟达的HBM3e 12hi产品认证, 这将使供给端出现压力。

“此外，英伟达Rubin系列产品的HBM位元搭载量与Blackwell雷同, 主要升级在于HBM4的IO（接口）较HBM3e多, 垫高了技术门槛及生产成本, 因此，预估HBM4将较HBM3e存在溢价。”他补充道。

存储分化

不过在HBM之外，整体存储市场并没有都表现得那么畅旺。

典型如三星，目前其前沿HBM产品仍在走英伟达认证程序，因此公司整体业绩受到了更多因素干扰。

7月初发布的二季度业绩预告中，三星方面指出，初步预计期内业绩低于市场预期。其原因在于，DS（半导体）部门的利润因库存价值调整及美国对中国先进AI芯片的限制所影响，环比下降。

此外，由于库存价值调整等因素产生一次性成本，令公司存储业务收益有所下降，但经过改进的HBM产品正在进行客户评估，并已向主要客户发货。

当然另一个支撑DRAM市场业绩高增的因素，可能在于上游存储厂商纷纷宣布停产DDR4产品，导致价格和需求都被快速抬高。

美光方面对此也进行了分析，指出其先进DRAM制程节点，主要专注于DDR5、LPDDR5和HBM等新一代产品，并不用于生产DDR4和LPDDR4。几个月前，美光已向各类客户发出相应产品的停产通知，最后一批出货将在未来2至3个季度内进行。

“短期内，大批量采购客户开始面临DDR4产品日益短缺的情况。对此，美光正在对这些产品进行分配。预计在2025财年下半年，DDR4产品收入占公司总收入的比例将仅为低个位数。预计由于停产，LPDDR4产品的短缺情况也可能加剧。”Sanjay Mehrotra表示。

许家源则对记者分析道，预估三季度将是2025年内DDR4产品合约价上涨幅度最高的季度, 从四季度开始，其合约价上涨幅度将收敛或趋于季度性持平。“由于采用先进制程的主要供应商陆续减少供应, 改由采用成熟制程的中小型供应商加入供应, 造成供应商平均生产成本垫高, 从而使价格水平结构性抬高。”

整体从已经发布业绩的存储大厂来看，DRAM和NAND两大品类的产品表现出现明显分化。

美光财报显示，第三财季公司DRAM市场收入同比增长51%、环比增长15%，不过ASP（平均销售单价）环比呈现单个位数百分比下降；NAND市场收入同比增长4%、环比增长16%，ASP环比下滑高个位数百分比。

SK海力士旗下NAND业务的bit出货量环比增长70%，ASP环比下降7%~9%；DRAM业务bit出货量环比增长25%左右，ASP环比增长1%~3%

公司方面表示，对NAND业务将秉持谨慎的投资基调，实施以盈利为导向的运营策略；还将扩大基于QLC的高容量eSSD销售，构建基于321层NAND闪存的产品组合。

Sanjay Mehrotra也指出，美光对于NAND业务，公司将根据需求状况和盈利优先原则，保持审慎的投资态度，同时持续进行产品开发，为市场环境改善做好准备。尤其将扩大基于QLC的高容量eSSD的销售。

这显示出，虽然当前终端类市场的库存水位整体处在健康水平，但产业链厂商对后市多持审慎态度。

美光方面就预计，2025自然年个人电脑市场销量将以个位数的低增长率增长；期内智能手机销量将实现低个位数增长（约在5%以内），目前智能手机的平均容量为8GB，预计会有更多容量为12GB及以上的智能手机推出。

预计美光在非HBM的DRAM市场和NAND领域，Bit（位元）供应增长将低于行业Bit（位元）需求增长。

结合近期多家第三方厂商披露的上半年中国手机市场消费情况可见，目前消费正呈现增长放缓态势，要维持市场的长期健康发展，更好的AI、拍照等技术推出将显得关键。而手机也是除数据中心之外，存储行业的最大下游应用市场，原厂的态度无疑也与终端市场的消费情绪表现息息相关。