海思1200V碳化硅器件问世，加速布局宽禁带半导体

前言

碳化硅材料在耐高压方面具有天生优势，并且开关速度快，适用于高功率和高频率的应用场景，常在工业、新能源汽车汽车场景应用；而氮化镓具有高电子迁移率和高击穿电场强度，其电子迁移率比碳化硅高，理论上适合做高频器件，但由于其本身是极性晶体，存在很强的自发极化和压电极化效应，导致其在高电压、大电流情况下，器件的散热性较差，设计千伏耐压器件难度与成本相对较大，更适合消费级场景应用。

近期，充电头网了解到，华为旗下海思技术有限公司进军碳化硅功率器件领域，首批推出两款TO-247封装1200V SiC单管，面相工业高温、高压场景场景。

海思1200V SiC器件

海思ASO1K2H020M1T4

海思ASO1K2H020M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻20mΩ，而在175°C高温下也可维持30mΩ超低导阻，栅极电荷185nC，最高可通过100A电流（25℃）。

海思ASO1K2H035M1T4

海思ASO1K2H020M1T4是一颗采用TO-247-4封装的1200V碳化硅MOSFET，25°C环境下导阻35mΩ，而在175°C高温下也可维持57mΩ导阻，栅极电荷108nC，最高可通过100A电流（25℃）。

充电头网总结

海思此次推出的1200V SiC单管，凭借其在高温高压场景下的性能，丰富了自身在功率器件领域的产品线，更为工业及汽车电子等行业提供了高效可靠的解决方案。这一举措彰显了海思在宽禁带半导体领域的技术实力与市场布局，有望推动碳化硅功率器件在更多高端应用中的普及，加速产业升级与技术创新，对于提升我国在半导体关键领域的自给率和竞争力具有重要意义。

充电头网了解到，海思前身为华为集成电路设计中心，1991年启动集成电路设计及研发业务，为汇聚行业人才、发挥产业集成优势，2004年注册成立实体公司，提供海思芯片对外销售及服务。海思致力于为智慧城市、智慧家庭、智慧出行等多场景智能终端打造性能领先、安全可靠的半导体基石，服务于千行百业客户及开发者。海思产品覆盖智慧视觉、智慧IoT、智慧媒体、智慧出行、显示交互、手机终端、数据中心及光收发器等多个领域。海思在中国、新加坡、韩国、日本、欧洲等地设有12个办事处和研发中心，产品和服务遍布全球100多个国家和地区。