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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“具有2晶体管存储器单元的层级的存储器装置”的专利，公开号CN120323093A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一些实施例包含设备及使用所述设备的方法。所述设备中的一者包含：第一、第二及第三导电结构，其各自在第一方向上具有一长度；第一及第二存储器单元，其在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此隔开；第一导电区；及第二导电区。所述第一及第二存储器单元中的每一者包含：第一半导体部分，其定位于所述设备的第一层阶上且耦合到所述第三导电结构及所述第一及第二导电结构中的一者；第二半导体部分，其定位于所述设备的第二层阶上且耦合到所述第一及第二导电结构中的一者。所述第一导电区与所述第一存储器单元的相应所述第一及第二半导体部分相对。第二导电区与所述第二存储器单元的相应所述第一及第二半导体部分相对。
本文源自：金融界
作者：情报员
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