北京
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯港半导体有限公司申请一项名为“Si基耗尽型HEMT外延片制作方法”的专利，公开号CN120321978A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及Si基耗尽型HEMT外延片制作方法，具体包括以下步骤：提供硅基GaN晶圆；采用刻蚀工艺去除非目标区域第二GaN外延层，使硅基衬底的上端面形成SiMOS器件区域，所SiMOS器件区域用于制作SiMOS开关控制电路；采用刻蚀工艺在目标区域第一GaN外延层上形成GaN HEMT器件区域；提供支撑衬底，将支撑衬底置于第一反应腔室中，并在第一反应腔室中形成成核层；将形成有成核层的支撑衬底传输至第二反应腔室中，并在第二反应腔室中形成含有Ga元素的缓冲层，并对所述缓冲层进行掺杂；本发明优点在于：可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量的影响，从而提高HEMT外延层的晶体质量，提高沟道层和势垒层的性能，具有很好的推广前景。
天眼查资料显示，江苏芯港半导体有限公司，成立于2020年，位于徐州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯港半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可18个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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