北京
金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“去除介电层的方法、栅极结构的形成方法及半导体结构”的专利，公开号CN120322016A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供了去除介电层的方法、栅极结构的形成方法及半导体结构，包括以下步骤：S1.提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第二区域之间通过隔离结构隔离；S2.在所述第一区域上形成第一介电层，所述第二区域上形成第二介电层，所述第二介电层的厚度大于所述第一介电层的厚度；S3.刻蚀所述第二区域中非栅极区上的所述第二介电层，刻蚀深度为所述第二介电层与所述第一介电层的厚度差值。通过调整工艺流程，将第二区域的第二介电层进行回蚀，可实现非栅极区介电层厚度的一致化。这一方法能够有效避免因介电层厚度不均导致的器件性能差异，提高器件性能的稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目720次，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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