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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包含包括相应无氟封盖子层的复合字线的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120323095A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种形成存储器设备的方法，该方法包括：在衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠；穿过该交替堆叠形成存储器开口；在该等存储器开口中形成存储器开口填充结构，该等存储器开口填充结构包括：存储器元件的相应的竖直堆叠；和相应的竖直半导体沟道；穿过该交替堆叠形成横向隔离沟槽；通过相对于该等绝缘层和该等存储器开口填充结构选择性地移除该等牺牲材料层来形成横向凹槽；使用第一钨沉积过程在该等横向凹槽中沉积第一钨层，在该第一钨沉积过程中，使用含氟钨前驱气体作为反应物；以及使用第二钨沉积过程在该等横向凹槽中的该第一钨层上沉积第二钨层，在该第二钨沉积过程中，使用无氟钨前驱气体作为反应物。
本文源自：金融界
作者：情报员
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