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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括含氧化铪或氧化锆的阻挡电介质和氮化钨势垒的存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN120304029A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直地延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中；和含氧化铪或氧化锆的背侧阻挡电介质层。该存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括存储器元件的相应竖直堆叠和竖直半导体沟道。该导电层中的每个导电层包括金属层和含氮化钨的扩散势垒层。该含氧化铪或氧化锆的背侧阻挡电介质层位于该含氮化钨的扩散势垒层与该存储器开口填充结构之间。
本文源自：金融界
作者：情报员
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