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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于CMOS器件的空腔成形和选择性金属硅化物形成”的专利，公开号CN120304033A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种在半导体结构中形成电触点的方法，包括：在具有n型金属氧化物半导体(n‑MOS)区和p型MOS(p‑MOS)区的半导体结构上执行空腔成形工艺，所述空腔成形工艺包括在所述n‑MOS区的暴露表面中形成n‑MOS空腔以及在所述p‑MOS区的暴露表面中形成p‑MOS空腔；以及执行第一选择性沉积工艺以选择性地在所述p‑MOS空腔中形成p‑MOS空腔触点。
本文源自：金融界
作者：情报员
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