芯栋微：打造国产半导体电镀设备自主生态，助力HBM技术降本增效

2025年7月3日-5日，第九届集微半导体大会在上海张江科学会堂盛大举行。大会以全新视野开启中国半导体产业交流的新篇章，汇聚全球智慧，共谋产业未来。

7月4日，第三届集微半导体制造峰会暨产业链突破奖颁奖典礼同期召开，本次活动以“新形式下，设备材料企业如何助力国内半导体制造的升级”为主题，围绕半导体设备材料领域的市场现状、前沿趋势、发展瓶颈等重要话题进行探讨。

会上，芯栋微（上海）半导体技术有限公司（以下简称“芯栋微”）总经理汪贺做了“自主创新国产电镀设备在新一代工艺和材料应用中的进展”的主题分享。

专注湿法电镀设备，打破国际技术壁垒

在半导体制造的关键环节中，电镀设备及化学药液的协同优化对先进工艺的突破至关重要。芯栋微作为国内领先的半导体湿法制程设备供应商，近年来在晶圆级电镀装备领域取得显著突破，并积极探索“设备+药液”一体化解决方案，推动国产半导体产业链的自主可控发展。

汪贺详细介绍了公司的发展历程与技术实力。这家成立于2016的高新技术企业，经过近十年的发展，已形成“上海松江总部+浙江海宁生产基地+上海临港研发中心”的产业布局。公司始终以“打造半导体晶圆级电镀装备与化学药液一体化的工艺服务平台”为发展使命，通过持续自主创新，成功突破了多项国外技术封锁，实现了半导体核心设备的国产化替代。

在产品方面，芯栋微具备四大优势：首先是成功研制出具有完全自主知识产权的全自动ECD/ECP系列设备；其次是建立起覆盖300mm及以下晶圆的完整工艺解决方案，满足从研发到量产的全流程需求；第三是构建了完善的知识产权保护体系，形成技术壁垒；最后是开发出灵活的定制化解决方案，可根据不同应用场景提供个性化服务。

目前，芯栋微的产品已成功应用于多个战略性新兴产业领域，包括：高端汽车电子、5G/6G射频器件、Micro LED显示、SiC功率器件、MEMS传感器、光电子芯片、军工电子、特种半导体以及科研院所等。这些创新成果不仅填补了国内技术空白，更有力推动了我国半导体产业链的自主可控进程，为保障国家产业安全提供了重要支撑。

技术突破：设备+药液协同创新，缩短研发周期

汪贺在演讲中深入剖析了电镀工艺发展的关键要素。他指出，电镀工艺的实现需要设备与药剂的深度协同，这一特点在国际成功案例中已得到充分验证——美国产业界通过英特尔（终端用户）、摩西湖（材料供应商）和LAM（设备制造商）形成的产业联盟，成功推动了电镀工艺的突破性发展。

汪贺表示，基于这一产业规律，公司正积极与国内电镀材料供应商及头部用户开展深度合作，这种战略合作具有双重价值：一方面，可以突破更多关键工艺节点，解决电镀工艺黑匣子问题，建立快速调整的工艺机制；另一方面，这种合作模式能够确保产业链各环节的自主可控，逐步构建完整的国产化生态体系。

接着，汪贺重点介绍了芯栋微工艺平台的核心优势：“我们的自主工艺平台具备快速验证能力，能够为客户提供高度定制化的解决方案。”他进一步解释道，依托公司完整的实验平台体系，工艺研发周期可大幅缩短至“天级”——相较传统依赖终端客户反馈所需的季度级周期，这一突破性进展完美契合了当前IC产品80-90天的开发节奏要求。更值得一提的是，该平台不仅能快速完成工艺验证，更能确保交付的每套解决方案都经过严格验证，为客户提供可靠的技术保障。

芯栋微的核心竞争力正是源自其卓越的技术管理团队，这支由行业顶尖专家组成的团队完美融合了技术创新与产业经验。芯栋微主要由三位行业专家领衔：公司创始人、总经理汪贺（俄勒冈州立大学硕士，30年半导体设备经验，曾开发领先的单晶圆清洗设备）；创始人、董事、技术专家董事王溯博士（帝国理工/港科大跨学科专家，主持10余项芯片电镀技术研发）以及董事长印琼玲（20年半导体供应链管理经验）。

在这支由行业顶尖专家组成的核心团队引领下，芯栋微在工艺创新方面取得了显著突破。目前公司已形成完整的电镀设备产品矩阵，包括成熟的GSW系列、G3系列以及正在研发的下一代G4系列产品。这些产品展现出四大核心竞争优势：首先，公司坚持自主创新路线，拥有完全自主知识产权，关键零部件实现100%国产化加工，核心模组采用模块化设计理念，支持快速工艺配置，所用材料和零配件超过99%为非美国供应；其次，设备工艺性能已达到国际领先水平；第三，通过国产设备与国产药液的协同优化，形成了最佳工艺组合方案；最后，公司在先进工艺研发方面保持前瞻布局，持续引领行业技术发展。这些创新成果充分体现了芯栋微在半导体电镀设备领域的技术实力和市场竞争力。

HBM技术布局：国产化降本50%，助力AI芯片发展

当前，在人工智能算力需求爆发的时代背景下，高带宽存储器（HBM）作为驱动AI芯片发展的核心技术，其制造过程中关键的硅通孔（TSV）电镀工艺正成为产业竞争的重要焦点。全球半导体产业格局中，国际领先厂商已相继实现HBM2e、HBM3及HBM3e的量产突破，并加速推进下一代HBM4的研发进程。值得关注的是，随着HBM技术代际升级，电镀工艺在整体制造成本中的占比呈现指数级增长，这一趋势使得工艺国产化成为提升产业竞争力的关键突破口。

在这一背景下，芯栋微携手上海新阳创新性地打造了“国产设备+国产药液”的整体解决方案，实现了重大技术突破。该方案将单片生产成本从进口方案的643元大幅降低至325元，综合成本降幅达到50%。具体而言，国产电镀药液可节省50%的材料成本，国产设备采购成本降低50%，同时在售后服务和关税等方面再节省50%的支出。

这一突破性进展不仅显著提升了我国HBM制造工艺的经济可行性，更重要的是为构建自主可控的AI芯片产业链提供了坚实的技术支撑。在当前全球半导体产业格局深刻变革的背景下，芯栋微的创新实践为我国在高端半导体装备与材料领域实现进口替代开辟了可行路径，对保障产业链安全具有重要战略意义。随着AI算力需求的持续爆发，这项国产化解决方案将为我国在全球HBM产业竞争中赢得更大的发展空间和话语权。

值得关注的是，集微大会同期举办了“集微半导体展”，全方位展示了国内外半导体前沿产品技术与趋势，助力产业各细分领域参展商与现场潜在客户实现深入交流及高效合作。其中，芯栋微携旗下InnovaSYS系列晶圆级电镀全系产品重磅亮相，展示了其在半导体制造关键环节的创新实力，吸引了众多专业观众与潜在合作伙伴的关注。

据介绍，SVSTECH全自动ECD/ECP系列支持300mm以及以下晶圆级别研发以及规模化生产和高精度以及重复性互联金属膜层电镀沉积制程。主要工艺指标聚焦与金属厚度和厚度均匀性和填充效果以及效率并同时加持薄膜特性、缺陷、杂质的工艺性能的关键指标。支持半自动或全自动化Recipe和Sequence的灵活编程以及多腔体的模块化和模组化组合针对不同应用场景和产品性能要求。SYSTECH自主研发专利覆盖核心电镀装置，物理组合条件以及化学条件的工艺方法为客户交付完整的TurnKeySolution。