北京
近日，中宜创芯宣布成功将碳化硅粉体纯度突破8N，粉体纯度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行业纪录。这一里程碑标志着我国在高端第三代半导体材料领域的核心关键技术实现重大突破，不仅打破了国际垄断，也为中国芯片产业链安全注入了坚实基础。
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碳化硅单晶生长
纯度是第一个门槛
碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，被应用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线通信等多个领域。而其粉体纯度直接影响单晶生长质量和电学性能——尤其对大尺寸碳化硅衬底（如8英寸）。
一般认为，SiC粉料颗粒尺寸不宜过小，过小粉料分解速率较快，会导致SiC单晶生长速度过快，使得生长的SiC单晶质量不容易控制。除此之外，碳化硅衬底使用环境的不同生长用粉料合成技术也存在工艺不同，对于N型导电性单晶生长用粉料，要求杂质纯度高、物相单一；而对于半绝缘型单晶生长用粉料，则需要对氮含量进行严格的控制。目前SiC粉体合成方法多样，但适用于单晶生长的高纯粉料制备方法有限，因此，制备高纯SiC粉料一直是SiC单晶生长领域的研究热点。
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中宜创芯：
多环节创新突破
在此次纯度提升之前，中宜创芯SiC半导体粉体500吨生产线已经成功达产，产品纯度最高达到99.99999%，成功吸引了30多家企业和研究机构进行试用和验证。
为了实现纯度的再次突破，中宜创芯在多个核心环节的系统性创新突破：首先中宜创新改变传统碳化硅破碎方式，自主引进国内首台新型无污染碎料装置，避免传统破碎引入金属或非碳化物杂质。其次，采用先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术，不断优化研发流程，不仅将碳化硅粉体纯度提升至8N8，还将正品率由55%增至85%，彻底攻破行业“卡脖子”难题。
中宜创芯所生产的碳化硅粉体产品具有颗粒度大、纯度高、α相含量高（α-SiC）和游离碳低等优点，特别适合8英寸碳化硅厚单晶晶锭的生长。此前，该公司实验室已成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶晶锭，验证了其碳化硅粉体在长晶方面的优势。近日，中宜创芯的碳化硅粉体也顺利通过三安光电的产品验证，意味着产品品质得到了认可。
与此同时，中宜创芯正加速推进产业落地。目前，中宜创芯一期500吨碳化硅半导体粉体生产线已顺利达产。今年年底，二期工程将建成投产，实现2000吨年产能目标。项目全部达产后，集团的碳化硅粉体产品预计在国内市占率将超过30%，全球市场率也将超过10%。
来源：中国平煤神马报、粉体网
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