1200亿灰飞烟灭，半导体鼻祖破产

一个半导体“鼻祖”，竟然破产了。

Wolfspeed，这是一个全球半导体圈都不陌生的名字。

拥有全球首家 8 英寸碳化硅晶圆厂、曾是全球最大的SiC基板制造商、堪称是第三代半导体碳化硅的先驱者，市值曾一度高达165亿美元（约合人民币1200亿）。

不过，中国同行的崛起，彻底打破了Wolfspeed的好日子——来自中国的碳化硅公司凭借成熟的制造产业链，令Wolfspeed面临着技术滞后与成本高昂的尴尬局面，最终败走市场。

在高达 65 亿美元的债务压力面前，现金储备仅有13亿美元的Wolfspeed，资不抵债，不得不寻求破产保护。

Wolfspeed最新的股价较巅峰时期，跌幅超过99%。年初迄今，股价已跌去近86%。

曾几何时，Wolfspeed风头正劲，在美国本土大肆扩产，一度垄断全球碳化硅衬底供应；

结果，却因为轻视中国市场，这家全球头部碳化硅大厂“死不足惜”。

作为碳化硅行业曾经的绝对王者，Wolfspeed是如何从神坛跌落，由行业龙头沦落至破产的呢？

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Wolfspeed的倒下，某种程度上是一缕美国企业发展的缩影。而Wolfspeed的发展生涯，却可谓是跌宕起伏。

1987年，在美国北卡罗来纳州立大学旁边的一家餐厅里，六位志同道合的年轻人，创立了一家名为Cree Research的公司，旨于聚焦碳化硅材料在LED领域的商业化。

抱着不成功便成仁的决心，他们设计出了一种在实验室生长SiC晶体的方法，并在公司成立2年后推出全球首款采用间接带隙半导体SiC制成的商用蓝光LED，这一成果为后来大型、全彩色视频屏幕和广告牌的发展奠定了基础，也是公司能成为全球最大蓝光LED芯片制造商的根本所在。

虽然这种蓝光LED发光效率不足0.03%，却凭着先进的技术工艺，获得了住友超百万美元的订单，Cree也因此在LED界站稳脚跟。

而Wolfspeed业务前身的诞生发生在1991年——Cree推出了全球首片商业化的硅碳化物晶圆，一举奠定了其在碳化硅领域的先驱地位。

值得一提的是，碳化硅（SiC）是由硅和碳通过共价键结合形成的化合物半导体材料，其晶体结构具有多种同素异形体，碳化硅的独特性能使其在高压、高温、高频、高功率密度场景中远超硅基器件。

目前，碳化硅的下游主要包括新能源汽车、新能源发电和储能，同时，由于碳化硅折射率显著高于玻璃，其视场角更大，也被认为是下一代AR眼镜光波导的核心组成部分，也是近年来资本市场热捧的赛道。

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凭借在SiC衬底蓝光LED领域的领先优势，Cree实现了快速发展，仅仅用了不到六年的时间就成功上市了。

1993 年，Cree成功登陆美股，为公司在氮化镓（GaN）领域的发展，筹备了足够多的资金。

科普一下，氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，与碳化硅（SiC）并列成为第三代半导体的核心技术。其电子迁移率远超碳化硅，因而适用于更高频的场景，可显著减少电感、电容等被动元件体积。此外，氮化镓还具备高热导率和高能效比，可有效减少能量损耗的同时，提升散热效率。由于氮化镓的优良特性，一般被用于消费电子快充、数据中心与通信电源能源、射频与通信领域。

1995年6月，Cree开始布局第三代半导体材料——氮化镓（GaN），采用SiC作为衬底材料进行GaN外延生长。

Cree可以说是用碳化硅制造LED的全球先锋者，由于碳化硅和氮化镓的晶格适配性比较好，Cree用碳化硅做衬底，做氮化镓外延，一度风生水起。

不仅与西门子、大众汽车、日本信越、住友集团等国际企业建立了长期合作，还跻身全球LED五大厂商之列。

Cree也逐步形成了LED（LED芯片和组件）、照明（LED照明系统和灯具）、Wolfspeed（碳化硅材料、电源器件和射频器件等）三大业务部门。

2011年，Cree发布了世界上第一款碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）CMF20120D。

这款产品凭借诸多优势特性，成为电力电子开关电路的理想选择，也打破了当时业界对碳化硅功率晶体管能否被制造出来的疑虑。

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随着照明业务自2016年起开始下滑，Cree果断切割，相继出售了LED照明和LED产品业务，决定全面第三代半导体转型。

2017年，Cree更名为Wolfspeed，发力碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料的研究，专注于第三代半导体的纯垂直整合制造。

2018年，是Cree至关重要的一年，公司先是收购了英飞凌的射频功率业务，稳固了其在射频碳化硅基氮化镓技术方面的领导地位。同年，特斯拉发布Model 3，并首次在逆变器上搭载来自意法半导体的碳化硅MOSFET，而Cree作为意法半导体的晶圆供应商，顺理成章地乘上了市场快速发展的东风。

不过值得一提的是，中间还有一个插曲，Cree曾险些在2016年将Wolfspeed出售给英飞凌，但最后被叫停交易。

随着新能源汽车、光伏等行业的高速发展，市场对碳化硅半导体的需求持续攀升。而凭借技术优势和领先的8英寸碳化硅晶圆产能，Wolfspeed迅速坐稳行业龙头。

在全球碳化硅衬底市场中，Wolfspeed长期占据着领先的市场份额，一度高达80%；2018年碳化硅衬底的全球市占率还能到 62%，后来不断降低，2024年在应用最广的N型衬底领域已经只占到全球市场的33.7%，来自中国的天岳先进（SICC）和天科合达（TanKeBlue）已经分别占到了17.1%和17.3%。

究其根本，在全球产业上下游开始垂直整合的时候，Wolfspeed却还一直沉溺于不断扩产、加大研发，最后自产自用+部分外销的定位。

这样关键的时刻，同行都在干什么呢？

瑞士意法在与中国三安光电合作衬底与外延片；美国安森美在收购了 GT Advanced Technologies（GTAT）垂直整合；德国英飞凌收购Wolfspeed失败后逐渐开始全球范围甄选供应商、并与中国的天岳先进和天科合达合作；美国Coherent与日本Rohm都保有自产衬底能力。

就拿2022年来说，Wolfspeed历时7年在美国纽约州莫霍克谷建立的全球首家8英寸碳化硅晶圆制造厂正式投产，总投资超过50亿美元，占据了Wolfspeed超过一半的资本支出，但这也为Wolfspeed当前的落寞埋下了伏笔。

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过去几年里，新能源汽车、光伏、储能、工业控制等领域对碳化硅半导体应用的需求，给Wolfspeed带来了巨大的想象空间，尤其是新能源汽车行业对碳化硅的大量需求，更是促进了行业发展，目前超过 60% 的碳化硅需求来自新能源汽车。

在全球碳化硅产业掀起的扩增资产热潮推动下，Wolfspeed疯狂扩张，包括莫霍克谷 8 英寸碳化硅晶圆厂的产能建设、6 英寸碳化硅晶圆厂达勒姆工厂的产能扩充等，还在建设新材料工厂（JPSilerCity）。

然而，好景不长，被寄予厚望的新能源汽车市场并未带来大量订单，再加上近期欧美纯电动汽车市场需求放缓，许多国外汽车制造商推迟车规级半导体订单，致使Wolfspeed陷入债务危机，走向破产。

截至3月份，Wolfspeed拥有约 13.3 亿美元的非限制性现金、现金等价物和短期投资，以及约 65 亿美元的债务。

值得一提的是，自2015财年起，10年来净利润一直都是亏损的。

2018财年2.8亿美元，2023财年3.3亿美元，到2024财年净亏损飙升至8.64亿美元，亏损如滚雪球般扩大，最终债务居然堆积至超60亿美元。

由于一直无法解决债务危机，Wolfspeed在过去一年里，解雇了CEO，关闭多家工厂，并裁员 20%。

2025年5月21日，这家曾掌握全球60%碳化硅衬底市场的行业先驱，股价单日暴跌57%，市值蒸发超10亿美元。

三天后，它正式提交破产保护申请，四十年技术帝国轰然倒塌。

业内人士认为，市场需求与产能错配是导致Wolfspeed陷入困境的重要因素。

在新能源汽车短期需求遇冷、客户订单延后的大环境下，Wolfspeed却仍坚持高举高打的产能扩张路线。其耗资数十亿美元建设的200毫米晶圆厂产能利用率仅20%，远未达到规模效应所需的水平，导致固定成本激增，现金流快速枯竭、债务压力陡增。

其实，一个根本性的原因就是Wolfspeed“离”中国太远了！

换言之，没有紧抱中国大陆市场的大腿，是导致其破产的主要原因。

很残酷，对于处在半导体这样一个高度国际化、全球化的行业，又在碳化硅这样一个高度竞争的碳化硅赛道，如果不能深刻理解中国市场发生了什么，你就找不到自己的方向和未来。

产业迭代的巨轮从未停歇，只是这一次，创新的火炬正在地球另一侧燃起更明亮的火焰。