北京
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“用于抑制电压过冲的方法”的专利，公开号CN120239335A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，本申请涉及用于抑制电压过冲的方法。公开了用于促进适用于电动车辆的基于硅和基于碳化硅的功率晶体管的更快切换的器件和方法。所公开的技术可最小化对接通和关断损失的影响，同时降低器件切换期间的栅极电压和漏极电压尖峰。包含屏蔽栅MOSFET的快速/慢速单元设计控制栅极‑漏极电容和栅极电阻以优化对电压过冲的抑制。
本文源自：金融界
作者：情报员
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