美方始料未及！大陆芯片重大调整，国产替代再次加速了

众所周知，近几年美方一直在不断加码芯片限制，尤其不断扩大对光刻机等尖端半导体制造设备的限制范围。前此天，美方又要求三大美企EDA巨头对华实施全面断供。

要知道，光刻机和EDA对芯片制造产业至关重要，美方阻挠严重影响我国芯片产业发展。于是消息迅速传来，我们开始重点行动了，国家大基金将会锁定这两个关键！

近日，多家媒体发布消息，连美媒《彭博社》都报道了该消息，表示国家大基金三期调整了战略方向，将重点攻克光刻机和EDA等关键领域短板，以突破美方技术围堵。

据了解，国家大基金三期的总投资为3440亿元人民，换算成美元的话约480亿美元。

这可不是小数目，可以说是有史以来最大的半导体产业投资基金，规模超过了前两期的总和。要知道，美方好不容易通过的芯片法案，才有390亿元美元补贴芯片产业。

值得一提的是，这次国家大基金的方向非常明确，就是为了应对美方限制进行的重点策略调整，重点支持光刻机和EDA等瓶颈领域的项目，并且比前几轮投资时间更长。

此举无疑释放了一个重要信号，那就是我国半导体产业最大的一次攻坚战正式打响了。

光刻机决定着我们能否造出芯片，EDA决定着我们能否设计出芯片，尤其是先进制程芯片，大基金三期锁定这两个领域，就是要解决关键问题，打造自主可控的产业链。

之所以要重点攻克光刻机，因为这是我们所有半导体制造设备中最大的短板。目前，全球光刻机市场基本上被荷兰ASML垄断，特别是高端光刻机大都从ASML购买。

然而，美方早就开始阻挠中企购买EUV光刻机，甚至在大陆建厂的外企也不能购买。

近几年，美方为阻挠我们芯片产业发展，进一步收紧出口管制范围，甚至拉上荷兰和日本共同对先进半导体设备进行限制，范围扩大到ASML先进浸润式DUV光刻机。

这样的话，我们大陆芯片产业发展就被限制在14nm及以上的成熟制程。虽然我们也有光刻机制造厂商上海微电子，多年来也一直努力攻坚光刻机，实现了国产光刻机。

但制程方面不先进，之前仅能量产90nm光刻机，后来应该能够量产60 nm光刻机。

光刻机当然不只上海微电子在努力，也是一个复杂的产业链，如果国家大基金能通过长期资本，对碎片化的光刻供应链进行支持整合，相信会进一步推进整体集成突破。

要说光刻机是先进芯片的“命门”，那么EDA软件就是芯片设计的“根基”。一个指甲盖大小的芯片就包含百亿级别的晶体管，设计必然依赖电子设计自动化软件EDA。

然而，EDA方面依然基本被国外企业垄断，尤其是美方三大EDA巨头新思科技、楷登电子、西门子EDA，三家垄断了全球77%以上的份额，国内市场更是超过80%。

尽管国内涌现出了华大九天、概伦电子、芯华章、广立微等，但国产化率依然较低。

据相关情况介绍，国内EDA行业存在小而不强、各自为战、大多点工具等问题，没有形成较大的芯片设计所需的全流程覆盖，尤其尖端EDA更是空白，急需加快解决。

这次国家大基金重点提到支持EDA行业，相信通过支持头部企业并购整合，加速全流程平台开发，能够进一步推动国产EDA的发展，获得中芯国际、华虹等企业应用。

之前，华为就进行尝试，联合国内多家EDA企业，实现了14nm及以上EDA国产化。

国家大基金三期的战略方向调整，切中了我们半导体产业链中急需突破的关键，将会起到带动作用，带动更多投资流向这些产业，进一步加速半导体设备国产化率提升。

对此，有外媒直接评价道，大陆国产设备替代再次加速了！美方的芯片限制终究成了大陆芯片产业发展的“推动剂”，等大陆彻底打通国内芯片产业链，围堵也就失效了。