北京
金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“光学临近效应修正方法、掩模版版图、半导体结构”的专利，公开号CN120215198A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种光学临近效应修正方法、掩模版版图、半导体结构，光学临近效应修正方法包括如下步骤：获取目标区域的数据，目标区域至少包括具有贴边孔图形的金属层图形，贴边孔图形相邻的两边分别与金属层图形的两边重合，金属层图形在第一方向上与周边图形的距离小于或等于图形间距阈值；调节金属层图形在第二方向上的侧边向外偏移，以增加金属层图形在第二方向上的偏差；基于贴边孔图形的尺寸在金属层图形的第二方向上截取修正边；调节金属层图形在第二方向上的修正边向外偏移。对于具有贴边孔图形的金属层图形，首先将金属层图形的侧边向外偏移，然后在侧边上截取修正边将修正边向外偏移，提高了贴边孔图形的包裹率。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1836次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1177条，此外企业还拥有行政许可192个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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